存储器大厂海力士(Hynix)2010年第4季获利受到DRAM报价下跌影响而骤降，除了积极布局非标准型DRAM相关的应用领域之外，市场认为目前全球4大NAND Flash阵营中，唯一没有宣布要扩产的只剩下海力士，2011年平板计算机和智能型手机等应用都是NAND Flash当道，海力士还有1座空著的12寸晶圆厂M12，未来若此座厂房加入NAND Flash生产行列，全球NAND Flash产业4大天王将全部到齐!
海力士这几年在NAND Flash领域影响力大不如前，主要是制程进度落后，又遇上劲敌美光(Micron)和英特尔(Intel)合资的IM Flash阵营凭借著34纳米和25纳米制程陆续抢下头香，海力士和IM Flash阵营势力呈现一消一长，海力士遂把重心都放在DRAM业务上，以巩固全球二哥的地位。
海力士在2010年下半遇上DRAM价格崩盘，也开始转移重心转到非标准型DRAM产品上，包括2010年行动装置、绘图存储器(GDDR)、服务器用DRAM等比重已达整体DRAM营收60%以上，但市场更关心是海力士2011对于NAND Flash事业的规划。
存储器业者指出，目前三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、美光3大阵营都宣布扩建12寸晶圆厂计划，预计产能会在2011年下半开始大量产出，目前只剩下海力士没有宣布扩产计划，但产能多寡将攸关海力士是否可抢回全球三哥宝座，市场分析师已开始呼吁海力士不应该错过这一波平板计算机崛起对于NAND Flash需求增加的趋势。
海力士目前NAND Flash生产基地包括8寸晶圆厂M8和12寸晶圆厂M11，若全换算成12寸晶圆，单月产能约10万片水平，其中M11产能还有扩充的空间，而最令人关注的，是旗下还有一座盖好但尚未移入机器设备的12寸晶圆厂M12，未来是否会投入NAND Flash生产行列，值得进一步观察。
以海力士第4季NAND Flash表现而言，出货量增加32%，但平均售价(ASP)下跌12%;2010年底30纳米和20纳米制程的产品比重已达85%，随著三星、美光、东芝2011年都会以20纳米制程为主，估计海力士2011年也会提升20纳米的比重。
美光在34纳米和25纳米制程接连领先对手之后，挤下海力士成为全球三哥，但与海力士之间的市占率在伯仲之间，两者都约在9~10%之间，未来除了制程技术带动的产出增加之外，新12寸产能的加入也将是关键。
以海力士2010年第4季财报来看，营收为2.75兆韩元(约24.65亿美元)，较上季减少2%，营业利益4,180亿韩元(约3.75亿美元)，较上季衰退41%，净利为1,100亿韩元(约9,059.7万美元);以2010会计年度财报来看，营收达12.1兆韩元(约108.41亿美元)，营业利益为3.27兆韩元(约29.33亿美元)，净利为2.66兆韩元(约23.8亿美元)，均较2009年大幅提升。