日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款新的100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技术,在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。此外,该器件的导通电阻与栅极电荷乘积也是同类产品中最佳的,该数值是衡量DC/DC转换器应用中MOSFET性能的优值系数(FOM)。
SiR870DP在4.5V电压下的
SiR870DP在4.5V电压下具有低至
今天发布的器件针对用于电信的砖式电源和总线转换器应用的隔离式DC/DC电源中初级侧开关和次级侧同步整流进行了优化。这些MOSFET能在4.5V电压下导通,因此各种PWM和栅极驱动IC都能进入到设计者的备选之列。而使用5V额定电压的IC,不但能够降低栅极驱动损耗,而且由于无需使用单独的12V电源轨,能够简化电源的整体设计。
SiR870DP和Si4190DY经过了100%的Rg和UIS测试。MOSFET符合IEC 6