日本尔必达存储器(Elpida Memory)宣布，将从2011年5月开始全面量产采用30nm工艺的DRAM。生产基地是该公司的广岛工厂和台湾瑞晶电子(Rexchip Electronics)的工厂。广岛工厂已经开始生产30nmDRAM，2011年4～6月将把比例扩大至20%、2011年7～9月扩大至30%。而瑞晶工厂则计划在2011年7～9月导入30nmDRAM技术，2011年7～9月将比例提高至50%、2011年10～12月迅速提高至100%。
尔必达从2010年9月开始开发30nmDRAM，2010年底开始向处理器厂商等大型客户样品供货2Gbit产品。在市场行情恶化导致DRAM被迫整体减产的情况下，尔必达于2011年1月在广岛工厂开始量产30nmDRAM，量产规模在2011年1～3月为数千万枚/月。之后，随着DRAM市场行情的复苏而取消了减产计划，广岛工厂恢复了12万枚/月的满负荷运转状态，其中预定在2011年4～6月使30nmDRAM比例达到20%(其余80%基本上都是40nm工艺产品)。也就是说，2011年4～6月的30nmDRAM产量为2万4000枚/月(=12万枚/月×20%)。
随后，尔必达将在2011年7～9月把广岛工厂的30nmDRAM比例提高至30%。此外，还计划向瑞晶工厂移植30nmDRAM技术，将2011年 7～9月的30nmDRAM比例提高至50%。因此，把广岛工厂3万6000枚/月(=12万枚/月×30%)和瑞晶工厂4万2500枚/月(=8万 5000枚/月×50%)的产能加起来，尔必达的30nmDRAM总产量将达到7万8500枚/月。之后，将在2011年10～12月把瑞晶工厂的 30nmDRAM比例提高至100%。另外，广岛工厂还要兼顾其他产品的生产，2011年10～12月的30nmDRAM比例以及该比例达到100%的时间等“未定”(尔必达)。
关于30nmDRAM的具体生产计划方面，2011年5月将首先面向个人电脑(PC)量产2Gbit DDR3-SDRAM，之后在广岛工厂量产4Gbit DDR2标准的“Mobile RAM”和4Gbit DDR3-SDRAM。瑞晶工厂将以量产PC用DRAM为核心。另外，据尔必达介绍，与该公司的40nmDRAM相比，30nmDRAM在每枚晶圆上的芯片获取量将增加45%左右、耗电量将减少20%以上。