尔必达“高明投资”方式应对DRAM需求增长

　　日本尔必达存储器正致力于通过小额设备投资实现大幅增产的“高明投资”方式。该公司预计2011财年(2011年4月～2012年3月)的DRAM需求增幅将达到50%/年，但却打算以较上财年减少30%的设备投资额(800亿日元)来应对。从40nm开始采用的嵌入式字线(Word Line)工艺技术是确保上述计划得以实现的关键。

　　嵌入式字线技术的特点是，无需大量使用实现微细化所必需的ArF液浸曝光装置等。而且，2011财年将全面导入的30nm和部分导入的25nm将与40nm具有较高的工艺共通性。由此，只需少量设备投资额便可推进微细化进程。对此，尔必达在发布2011财年第四季度(2011年1月～3月)的结算时表示，“微细化至30nm和25nm所需要的设备投资额，仅为微细化至采用嵌入式字线技术之前的70nm的1/7”，“将台湾瑞晶电子的量产线(300mm晶圆的处理能力超过8万枚/月)从30nm全部换成25nm，需要耗费250亿日元左右”，“如果新建一条相同规模的量产线，需要花费2500亿日元左右”。

　　这样做的话，在晶圆处理能力为1万枚/月的条件下，针对30nm和25nm的微细化投资可以大幅压缩至30亿日元左右，而新设生产线则需要约300亿日元，微细化至70nm需要200多亿日元。另外，关于20nm以后的微细化，尔必达计划采用三维构造，制成4F2(F为设计规则)单元的工艺技术。此时工艺技术会发生较大变化，存在更新生产设备、需要大量设备投资的可能性。关于这一点，尔必达表示“我们将动脑筋尽可能控制设备投资额”。