韩国半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)于美国时间6日发出新闻稿表示，该公司旗下晶圆代工部门之28纳米低功率(low-power;LP)、高介电/金属闸极 (high-k metal gate)制程已经通过认证，目前已准备好可以导入正式投产。
此外，三星电子也提供28纳米LPH高介电/金属闸极制程科技服务。据悉，28纳米LPH制程是特别开发用来打造运算速度超过2GHz的行动装置应用。
三星表示，28纳米LPH制程科技可望降低6成以上的耗电量，或者是在与45纳米LP系统单芯片制程设计比较时，可望提高55%以上的运算效能。