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三星、台积电将于2013年实现20纳米工艺量产

作者:  时间:2012-12-09 21:15  来源:SEMI

  据DigiTimes报道,三星将于2013年采用20纳米技术,同时开始建造生产14纳米晶体管的工厂。台积电也会在2013年下半年开始采用20纳米技术生产晶体管。当前主流的智能手机芯片主要由高通和三星制造,高通的代工厂中,最出名的就是台积电

  此前,台积电采用的是28纳米技术,三星采用的是32纳米技术。众所周知,晶体管是越细越好,耗能也越少,芯片体积也将更小。

  可以预见,我们或将在2013年年底或2014年年初见到采用20纳米技术制造的高通芯片。另外,台积电也是英伟达(NVIDIA)的代工厂,所以2013年Q3/Q4,我们有望见到基于ARM Cortex A15架构的Tegra 4。

  至于当前芯片行业的领导者英特尔,他们当前采用的是22纳米技术,但其14纳米工艺预计在2014年就能实现量产。

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