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士兰微拟1.35亿元组建功率模块生产线项目

　　士兰微拟同意在子公司士兰集成内组建多芯片高压功率模块制造生产线，计划从2010年起在未来的2--3年内安排投资13,500万元，其中2010年投资2,500...

士兰微 IGBT 芯片设计 2010-07-30

力挺新能源应用中国IGBT企业可另辟蹊径

　　今年6月，功率半导体业界的盛会“PCIMChina2010”在上海光大会展中心举行，国内外知名功率半导体厂商向与会观众展示了各自推出...

功率半导体 IGBT 2010-07-01

IGBT助变频器实现高效能低损耗

　　•随着IGBT升级换代，变频器性能不断提高，体积不断减小。　　•三菱电机在功率半导体领域的一个很大的优势就是贴近系统用户。　　日...

IGBT 变频器 2010-07-01

功率半导体下游需求旺盛前景看好

　　功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为 2833亿美元，增长率达到23.2%。...

MOSFET IGBT 2010-06-04

中国南车成立海外半导体研发中心

　　近日，中国南车在英国林肯丹尼克斯公司成立了半导体研发中心，并举行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片线开通仪式，为实现功率半导体器件世界第一的战略目标奠定了更...

轨道交通 IGBT 2010-05-20

英飞凌推出具备最高功率密度和可靠性的IGBT模块

英飞凌科技股份公司近日在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会（2010年5月4日至6日）上，推出了专为实现最高功率密度和可靠性而设计的新款IGBT模块：采用P...

英飞凌 IGBT 2010-05-13

IR推出汽车用AUIRS2117S和AUIRS2118S 600V IC

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出 AUIRS2117S ...

IR MOSFET 驱动器 IGBT 2010-05-10

英飞凌携手三菱电机服务全球功率电子行业

英飞凌科技股份公司与三菱电机公司同意签署一份服务协议，针对全球工业运动控制与驱动市场，提供采用SmartPACK和SmartPIM封装的先进的IGBT模块。利用...

英飞凌三菱 IGBT 芯片 2010-05-07

英飞凌全新.XT技术大幅延长IGBT模块使用寿命

英飞凌科技股份公司在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会（2010年5月4日至6日）上，推出创新的IGBT内部封装技术。该技术可大幅延长IGBT模块的使用寿命...

英飞凌 IGBT 2010-05-07

5kV重复频率高压脉冲电源设计

　　重复频率高压脉冲产生技术是随着近代科学实验而发展起来的一门技术。主要是依据实验需求，产生不同幅值、频率和脉冲宽度等参数的高压脉冲。目前在科学研究、工业生产、...

IGBT 变压器脉冲电源 2010-05-06

意法半导体推出业内性价比最高的智能功率模块

全球领先的功率半导体供应商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）宣布，其家用电器和低功率电机驱动...

意法半导体智能功率模块 IGBT 2010-04-12

IGBT的驱动和过流保护电路的研究

1 引言绝缘栅双极晶体管(Insulate...

IGBT 过流保护 orCAD 2010-04-09

英飞凌600V RC IGBT驱动系列满足变频电机系统的设计要求

2010年1月21日，德国Neubiberg讯——英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日推出适用于节能家...

英飞凌 IGBT 变频电机 2010-01-21

IR IRMD2336DJ三相栅极驱动参考设计

IR公司的IRS2336xD是高压高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有三个高边和低边参考输出通路,能驱动多达6个IGBT/MOSFET功率器件,每路的...

IRMD2336DJ 三相栅极驱动功率MOSFET IGBT 2009-12-01

IR发布耐圧1200V的汽车用IGBT

美国国际整流器公司（International Rectifier）上市了耐压1200V的车载用IGBT“AUIRG7CH80K6B-M&rdquo...

IGBT 电动汽车混合动力 2009-12-01

IR IRMD2336DJ三相栅极驱动参考设计

IR公司的IRS2336xD是高压高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有三个高边和低边参考输出通路,能驱动多达6个IGBT/MOSFET功率器件,每路的...

IRMD2336DJ 栅极驱动 IGBT 2009-11-24

IR IRS2336xD三相栅极驱动参考设计

IR公司的IRS2336xD是高压高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有三个高边和低边参考输出通路,能驱动多达6个IGBT/MOSFET功率器件,每路的...

RS2336xD 三相栅极驱动功率MOSFET IGBT 2009-10-23

IR IRMD2336DJ三相栅极驱动参考设计

IR公司的IRS2336xD是高压高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有三个高边和低边参考输出通路,能驱动多达6个IGBT/MOSFET功率器件,每路的...

IRMD2336DJ 三相栅极驱动 MOSFET IGBT 2009-08-20

英飞凌再度称雄功率电子市场，进一步巩固全球第一位置

2009年8月18日，德国Neubiberg讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）在功率电子半导体分...

英飞凌功率电子 IGBT 2009-08-18

IGBT在客车DC 600V系统逆变器中的应用与保护

　　IGBT综述　　1．1 IGBT的结构特点　　IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate ...

IGBT 逆变器过热保护 2009-08-04

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