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Vishay推出业界操作电压最高的IGBT和MOSFET驱动器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已有的光耦产...

IGBT MOSFET LED 2009-06-08

英飞凌在2009 PCIM中国展会推出MIPAQ™ base量产模块

在上海举办的2009 PCIM中国展会上，英飞凌科技股份公司（FSE:IFX / OTCQX:IFNNY）今日宣布推出IGBT（绝缘栅双极晶体管）MIPAQ&t...

英飞凌 IGBT 二极管 2009-06-04

适用于风力发电机的可靠电力电子器件

　　1 引言　　在兆瓦级，大功率电力电子应用中需要大容量的半导体器件。然而，对于某些应用来说，即使是目前可以得到的最大半导体器件容量也不够大。因此需要将它们...

风力发电机电力电子 IGBT 2009-05-08

基于高性能单片机的功率直流开关电源的设计

　　1 引言　　直流稳压电源已广泛地应用于许多工业领域中。在工业生产中(如电焊、电镀或直流电机的调速等)，需要用到大量的电压可调的直流电源，他们一般都要求有...

单片机开关电源 IGBT 2009-05-07

基于L4981B的APFC电路设计性能优化

　　O 引言　　电源是每一个电子设备所必须的重要组成部分。按照国际电工委员会标准IEC 61000—3—2的要求，电子设备输入电流...

L4981B APFC IGBT 电磁兼容 2009-04-29

基于EXB841的IGBT驱动与保护电路研究

1 引言　　多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型晶体管与MOSFE...

EXB841 IGBT 驱动 2009-03-01

英飞凌扩大功率模块生产

近日，英飞凌科技股份公司（法兰克福/纽约交易所股票交易代码：IFX）在其位于德国慕尼黑Neubiberg的总部宣布，该公司正在扩建其位于匈牙利Cegl&eacu...

英飞凌 Neubiberg IGBT 2009-02-11

全面降低EMI的600V QPT IGBT设计概念

穿透型(Punch Through) IGBT在本质上会比其相对的MOSFET器件产生更多EMI(电磁干扰)，这是由于IGBT的本质是双载流器件，其开关特性是受...

MOSFET IGBT QPT 2008-11-24

高性能、高能效的IGBT

随着国际汽油价格的不断攀升，运输成本和所有其他能源生产成本也随着石油价格的上涨而不断增大。同时，人们对电力的需求也达到了一个前所未有的高度。同样糟糕的是，石化产...

IGBT 能效电压控制开关电源 2008-10-23

功率模块技术演进

　　赛米控公司总经理 PaulNewman 　把电力器件与电气应用相结合是一种有效利用电能的方法。工作温度和电流密度是衡量器件性能的重要指标。功率半导...

SiC IGBT 二极管 2008-10-16

IR 推出适合汽车应用的坚固可靠600V IC

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出适合汽车应用的高、中、低压坚...

IR MOSFET IGBT 2008-09-12

Fairchild LCD解决方案

LCD (Liquid Crystal Display) Select Design Information by: &...

Fairchild LCD ML4800 FQP90N10V2 IGBT 2008-08-22

Fairchild 600V-30A智能功率方案

Fairchild公司的FCAS30DN60BB是先进的600V-30A的智能功率模块,它集成了600V-30A IGBT非对称转换器,以及驱动,保护和系统控制...

FCAS30DN60BB IGBT 真空吸尘器 SRM 2008-07-18

全面降低EMI的600V QPT IGBT设计概念

穿透型(Punch Through) IGBT在本质上会比其相对的MOSFET器件产生更多EMI(电磁干扰)，这是由于IGBT的本质是双载流器件，其开关特性是受...

EMI IGBT 2008-06-26

ST的IGBT新品大幅提升开关性能

功率半导体业的世界领先企业意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（IGBT），新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低关断...

IGBT MOSFET 2008-05-19

Zetex新型栅极驱动器开关功率速度比同类IC 更快

Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000双极栅极驱动器系列，用于开关电源和电机驱动器中的MOSFET及IGBT。低成本的Z...

栅极开关 MOSFET IGBT 2008-05-06

飞兆半导体在印度普那建立研发中心负责公司新一代技术设计和开发

飞兆半导体公司 (Fairchild ) 现已在印度普那 (Pune) 建立设计中心。这家研发中心将负责公司新一代功率MOSFET 和 IGBT 技术的设计和开...

飞兆半导体 MOSFET IGBT 不间断电源 2008-02-25

“单正向”栅驱动IGBT简化驱动电路

目前，为了防止高dv/dt应用于桥式电路中的igbt时产生瞬时集电极电流，设计人员一般会设计栅特性是需要负偏置栅驱动的igbt。然而提供负偏置增加...

IGBT 驱动器变换器 2008-01-15

用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

l 前言绝缘栅场效应晶体管(IGBT)作为一种复合型器件，集成了MOSFET的电压驱动和高开关频率及功率管低损耗、大功率的特点，在电机控制、开关电源、变流装置...

IGBT MOSFET 场效应晶体管 2007-12-25

IGBT模块的一种驱动设计

1 引言近年来，新型功率开关器件IGBT已逐渐被人们所认识。与以前的各种电力电子器件相比，IGBI、具有以下特点：高输入阻抗，可采用通用低成本的驱动线路;高速...

IGBT HCPL-316J 驱动 2007-11-26

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