功率器件；功率mosfet；绝缘栅双极晶体管

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IR IR11672AS智能整流器控制方案

IR 公司的IR11672AS是智能整流器控制器,用来驱动隔离反激和谐振半桥转换器中同步整流器的N沟功率MOSFET,最大开关频率为500kHz,关断驱动电流峰...

IR11672AS 智能整流器控制功率MOSFET 2009-12-11

IR IRMD2336DJ三相栅极驱动参考设计

IR公司的IRS2336xD是高压高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有三个高边和低边参考输出通路,能驱动多达6个IGBT/MOSFET功率器件,每路的...

IRMD2336DJ 三相栅极驱动功率MOSFET IGBT 2009-12-01

Vishay Siliconix最新推出具超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

这款20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET具有业内最低的导通电阻，在紧凑的2mm x 2mm的占位面积内实现了从18mΩ@...

Vishay 功率MOSFET 导通电阻 2009-11-23

IR推出采用焊前金属的汽车级绝缘栅双极晶体管

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solder...

IR 绝缘栅双极晶体管焊前金属 2009-11-18

Power Integrations TOPSwitch-HX电源解决方案

Power Integrations公司的TOPSwitch-HX系列是成本效益器件,在单个器件内集成了700V功率MOSFET,高压开关电流源,PWM控制,振...

TOPSwitch-HX 电源功率MOSFET 2009-11-04

Vishay推出业界最小的芯片级MOSFET

器件最大尺寸仅为1mm x 1mm，且导通电阻比非芯片级器件提高10倍宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 11 月 04 日 &md...

Vishay 功率MOSFET MICRO FOOT 2009-11-04

IR IRS2336xD三相栅极驱动参考设计

IR公司的IRS2336xD是高压高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有三个高边和低边参考输出通路,能驱动多达6个IGBT/MOSFET功率器件,每路的...

RS2336xD 三相栅极驱动功率MOSFET IGBT 2009-10-23

元器件价格坚挺供货期延长

　　很多种类的电子元器件产品市场需求持续强劲，加上产能以及库存的下降，使得供应链开始吃紧。上个月，iSuppli公司曾经预测，在2009年剩下的时间里，供货期会...

模拟器件电容存储器功率MOSFET 2009-10-16

Vishay Siliconix推出突破性P沟道功率MOSFET，将业界最低导通电阻减少近50%

该器件在4.5V和2.5V电压下的导通电阻降低了42%，在1.8V电压下的导通电阻则降低了46%、TrenchFET® Gen III P沟道技术在每平...

功率MOSFET 导通电阻 SiB457EDK 2009-09-10

Vishay发布业界导通电阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET

器件采用双面冷却、SO-8尺寸封装、导通电阻低至6.1mΩ 宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 8 月 25 日 &mdas...

功率MOSFET 导通电阻 TrenchFET Vishay SiE876DF 2009-08-25

IR为工业应用提供极低的闸电荷

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开关模式电源（SM...

功率MOSFET 2009-08-17

Vishay Siliconix推出采用热增强PowerPAK SC-75封装的N沟道功率MOSFET，扩大TrenchFET家族阵容

新产品的站位面积为1.6mm x 1.6mm，包括业界首款30V器件和业界导通电阻最低的器件宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 8 月...

功率MOSFET TrenchFET 导通电阻 SiB414DK 2009-08-17

Vishay新款SkyFET®单片功率MOSFET和肖特基二极管的导通电阻创业界最低纪录

器件采用第三代TrenchFET®技术和SO-8封装，导通电阻低至3mΩ 宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 8 月...

SkyFET 功率MOSFET 肖特基二极管导通电阻 Si4628DY 2009-08-13

Vishay Siliconix推出采用TO-220、TO-220F和TO-247封装的新款500V功率MOSFET

器件在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.27Ω、栅电荷仅为65nC 宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 7 月 29 日...

Vishay 功率MOSFET SiHP18N50C SiHF18N50C SiHG20N50C 2009-07-29

Vishay Siliconix推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFE...

功率MOSFET Vishay SO-8 Si7145DP 2009-06-30

值得关注的新兴领域：GPS芯片、功率器件、安防电子等

　　新兴领域值得关注，包括GPS芯片、功率器件、安防电子等领域。　　GPS芯片市场：中国GPS产量已占全球产量的39...

GPS 功率器件安防电子 2009-05-07

Powerint PKS607YN 54W音频放大器电源RDR-203设计方案

Powerint 公司的54W(200W峰值)音频放大器电源参考设计RDR-203是采用PeakSwitch 系列的PKS607YN,可以替代用于音频放大器的线...

PKS607YN )音频放大器电源功率MOSFET 振荡器 2009-04-20

Fairchild FSEZ1216 PWM 5W电源应用方案

Fairchild 公司的FSEZ1216是集成功率MOSFET的初级边PWM控制器,能对低功率反激转换器增强性能.起动电流仅为10uA, 工作电流仅为3.5m...

FSEZ1216 PWM 功率MOSFET 手机 PDA 2009-03-11

Vishay推出背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT® 芯片级封装的 Tr...

Vishay 功率MOSFET 背面绝缘 2009-02-24

PWM技术在智能充电器中的应用

介绍了PWM 技术的基本原理。并详细介绍在智能充电器中采用的PWM技术的方法和其优缺点。并针对问题提出了更加合理的解决方案。本文介绍的方法主要面向镍氢和镍镉电池...

PWM 功率MOSFET 电池唤醒充电 ADC 2009-01-15

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