功率mosfet，低温，阈值电压，通态阻抗

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元器件价格坚挺供货期延长

　　很多种类的电子元器件产品市场需求持续强劲，加上产能以及库存的下降，使得供应链开始吃紧。上个月，iSuppli公司曾经预测，在2009年剩下的时间里，供货期会...

模拟器件电容存储器功率MOSFET 2009-10-16

Vishay Siliconix推出突破性P沟道功率MOSFET，将业界最低导通电阻减少近50%

该器件在4.5V和2.5V电压下的导通电阻降低了42%，在1.8V电压下的导通电阻则降低了46%、TrenchFET® Gen III P沟道技术在每平...

功率MOSFET 导通电阻 SiB457EDK 2009-09-10

Vishay发布业界导通电阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET

器件采用双面冷却、SO-8尺寸封装、导通电阻低至6.1mΩ 宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 8 月 25 日 &mdas...

功率MOSFET 导通电阻 TrenchFET Vishay SiE876DF 2009-08-25

IR为工业应用提供极低的闸电荷

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开关模式电源（SM...

功率MOSFET 2009-08-17

Vishay Siliconix推出采用热增强PowerPAK SC-75封装的N沟道功率MOSFET，扩大TrenchFET家族阵容

新产品的站位面积为1.6mm x 1.6mm，包括业界首款30V器件和业界导通电阻最低的器件宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 8 月...

功率MOSFET TrenchFET 导通电阻 SiB414DK 2009-08-17

Vishay新款SkyFET®单片功率MOSFET和肖特基二极管的导通电阻创业界最低纪录

器件采用第三代TrenchFET®技术和SO-8封装，导通电阻低至3mΩ 宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 8 月...

SkyFET 功率MOSFET 肖特基二极管导通电阻 Si4628DY 2009-08-13

PCB反设计系统中的探测电路

　　1 引言　　电子工程师在进行电子设备的反设计或者维修工作时，首先需要了解未知印刷电路板（PCB）上各元件间的连接关系，因此需要对PCB上各元件引脚之间的...

PCB 探测电路阈值电压 2009-08-05

Vishay Siliconix推出采用TO-220、TO-220F和TO-247封装的新款500V功率MOSFET

器件在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.27Ω、栅电荷仅为65nC 宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 7 月 29 日...

Vishay 功率MOSFET SiHP18N50C SiHF18N50C SiHG20N50C 2009-07-29

Vishay Siliconix推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFE...

功率MOSFET Vishay SO-8 Si7145DP 2009-06-30

Powerint PKS607YN 54W音频放大器电源RDR-203设计方案

Powerint 公司的54W(200W峰值)音频放大器电源参考设计RDR-203是采用PeakSwitch 系列的PKS607YN,可以替代用于音频放大器的线...

PKS607YN )音频放大器电源功率MOSFET 振荡器 2009-04-20

Fairchild FSEZ1216 PWM 5W电源应用方案

Fairchild 公司的FSEZ1216是集成功率MOSFET的初级边PWM控制器,能对低功率反激转换器增强性能.起动电流仅为10uA, 工作电流仅为3.5m...

FSEZ1216 PWM 功率MOSFET 手机 PDA 2009-03-11

Vishay推出背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT® 芯片级封装的 Tr...

Vishay 功率MOSFET 背面绝缘 2009-02-24

PWM技术在智能充电器中的应用

介绍了PWM 技术的基本原理。并详细介绍在智能充电器中采用的PWM技术的方法和其优缺点。并针对问题提出了更加合理的解决方案。本文介绍的方法主要面向镍氢和镍镉电池...

PWM 功率MOSFET 电池唤醒充电 ADC 2009-01-15

NXP PIP213-12M DC/DC转换器方案

NXP 公司的PIP213-12M 能替代两个功率MOSFET，一个Schottky二级管和驱动IC,主要用于大电流高频同步降压DC/DC转换器。本文介绍了PI...

PIP213-12M 同步降压DC/DC 功率MOSFET 2008-09-09

功率器件的新时代汽车电子功率MOSFET技术

　　过去15到20年间，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突...

汽车电子功率MOSFET 功率器件 2008-08-07

赛灵思推出TD-SCDMA数字前端参考设计

<P class=NormalLinespacing15lines style="TEXT-JUSTIFY: inter-ideograph; ...

驱动电路；功率MOSFET；开关电源；变换器 2007-06-20

基于MC34152的软开关变换器高速驱动电路的设计

<P>摘    要：本文介绍了高速双MOSFET驱动器MC34152的内部结构、工作原理以及由...

驱动电路；功率MOSFET；开关电源；变换器 2007-06-20

IR新型XPhase芯片组减少25%外部元件数目

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出了其新的XPhase可扩展多...

XPhase 功率MOSFET 动态电压识别 2007-06-13

NEC电子启动全方位大学合作活动助力中国电子行业发展

为了进一步推动与中国大学的合作，为飞速成长的中国电子行业培养优秀人才，NEC电子的全资子公司—日电电子（中国）有限公司相继推出一系列与大学的合作活动...

微控制器功率MOSFET 嵌入式系统 2007-06-12

NEC电子汽车用大电流驱动功率MOSFET投产

NEC电子投产了流经电流达业内最高水平的功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），并已从2007年4月10日开始以NP180N04为商品名供应样品。凭借该MO...

功率MOSFET 电动助力方向盘 NEC 2007-04-24

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