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　　继美国德州仪器洽购中芯国际原托管工厂成都成芯半导体之后，美国闪存巨头美光科技也将入主武汉新芯。　　武汉新芯为中部第一个12英寸半导体制造项目，也是大陆唯...

美光半导体存储芯片 2010-09-03

　　据国外媒体报道，英特尔和Micron已经开始发布下一代25纳米NAND存储芯片，为达到最高效率，该芯片使用了三层存储单元技术。　　首款8GB和64GB芯...

英特尔 NAND 存储芯片 2010-08-20

　　尔必达公司今天宣布，他们已经开发出了一款新品2Gb容量DDR2移动存储芯片，号称全球最小的LPDDR2颗粒，FBGA封装后封装尺寸仅有10x11.5mm。 ...

尔必达存储芯片 FBGA 2010-07-30

　　东芝刚刚创造了移动存储芯片的最高容量记录，利用32纳米制程制造出128GB的内置闪存芯片。　　这种芯片仅有 0.06英寸厚度，可以存储16.6小时的10...

东芝存储芯片 32纳米 2010-06-18

　　据国外媒体报道，台积电董事长兼CEO张忠谋近日在股东年会上预计，今年全球芯片销售额将增加30%。　　台积电的这一预测表明全球芯片需求正在复苏，同时也增强...

台积电存储芯片 2010-06-17

　　据国外媒体报道，尔必达总裁阪本幸雄上周五接受媒体采访时表示，该公司计划在中国大陆和台湾建厂，以满足市场需求并减少税收成本。　　阪本幸雄表示，尔必达必将进...

尔必达存储芯片 2010-06-08

　　海力士半导体决定通过回购恒亿所持合资企业的21%股份以终止双方合资企业的合作关系，此举符合市场广泛预期。　　综合外电5月31日报道，以收入计全球第二大电...

海力士存储芯片 2010-06-01

　　据inSpectrum市调机构的报告显示，由于本周内存/闪存芯片的现货市场需求量有所下滑，因此各大存储芯片厂商均对这些产品的现货价格进行了调整。其中1Gb...

存储芯片闪存芯片 DDR2 2010-05-04

　　韩国媒体称，为给新规划的苏州7.5代面板项目增加获批筹码，韩国三星电子或将以捆绑一个内存芯片工厂的方式来寻求过关。　　具体内容是，三星电子不但将增加一个...

三星电子存储芯片面板 2010-04-19

　　4月16日消息，台湾闪存芯片制造商旺宏电子股份有限公司(Macronix International Co., 2337.TW, 简称：旺宏电子)和存储芯片...

旺宏电子芯片制造存储芯片 2010-04-19

去年，一场严重的“价格寒流”席卷了整个存储芯片领域，存储芯片市场亦受到了前所未有的冲击。业界巨头三星电子2007年第四季度财务报告显示，...

存储芯片 NAND 2008-06-03

第二季度全球半导体工厂产能利用率连续第二个季度上升，因为人们追求更轻、更薄和更小的电子产品，从而刺激了对于采用最先进工艺的存储芯片及微处理器的需求。国际半导体...

存储芯片微处理器 2007-09-03

欧盟委员会23日发表一项声明宣布，该委员会已向美国存储芯片技术商Rambus公司提起反垄断指控，因为其收取的动态随机存储器（ＤＲＡＭ）专利使用费过高。声明指出...

欧盟存储芯片反垄断 2007-08-27

　三星电子公司日前宣布投资35亿美元在美国奥斯汀兴建一座存储芯片生产工厂，据称这是德州目前最大的该类芯片制造厂。　　存储芯片厂将生产NAND闪存，可以广泛的用...

NAND闪存存储芯片生产工艺 2007-06-20

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