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2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收排名

研究机构集邦科技(DRAMeXchange)表示，由于NAND Flash供货商产能减产效应及新兴市场库存回补需求，第二季NAND Flash平均销售价格(AS...

NAND Flash 三星东芝 2009-08-04

7月下旬主流NAND Flash合约价小跌

集邦科技(DRAMeXchange)表示，7月下旬主流MLC NAND Flash合约价小跌约0%~4%，因供货商们的客户结构及客户需求状况有所差异，因此合约价...

NAND Flash DRAMeXchange UFD 2009-07-31

英特尔推出业内首款34纳米NAND闪存固态硬盘

2009年7月21日，加利福尼亚州圣克拉拉 – 英特尔公司已经开始采用更为先进的34纳米生产流程制造其领先的NAND闪存固态硬盘（SSD）。SSD是...

英特尔 NAND 固态硬盘 2009-07-22

NAND Flash 30纳米世代竞赛起跑

　　全球NAND Flash需求仍相当疲弱，尽管东芝(Toshiba)宣布增产重创市场信心，然存储器业者透露，由于东芝43纳米制程NAND Flash芯片日前打...

NAND Flash SSD 3-bit-per-cell 2009-06-29

三星东芝达成协议延长半导体专利共享期限

据韩联社报道，三星电子日前发表告示称，与日本东芝就共享两家半导体部门的专利达成了协议。在NAND型闪存领域位居前二的三星电子和东芝，从2002年9月至今...

三星东芝 NAND 2009-06-26

瞄准亚洲存储增长商机恒忆积极开拓经销商网络

全球非易失性存储领导厂商恒忆（Numonyx）今天宣布与益登、联强、世平、文晔、东棉、金龙等授权经销商合作，在中国大陆地区销售恒忆产品，并提供支持服务。通过这个...

Numonyx NAND RAM 2009-06-16

手机嵌入式SSD成为NAND Flash应用的新焦点

当全球看好固态硬盘(SSD)是NAND Flash下一个杀手级应用的同时，手机内建NAND Flash内存的应用(嵌入式SSD)却抢先一步成为NAND Flas...

手机嵌入式SSD NAND Flash eMMC 2009-06-16

美光为移动应用带来增强的安全性和NAND分区管理功能

美光科技有限公司（纽约证券交易所股票代码：MU）今天宣布，其管理型NAND解决方案组合支持新批准的JEDEC e∙MMC 4.4 标准。针对移动应用，美光的 e...

NAND e∙MMC 4.4 2009-06-14

NAND五月合约价格上涨，未来价格区间震荡

研究机构集邦科技表示，5月上旬NAND Flash(储存型快闪记忆体)合约均价上涨0%到12%，但现在市场出现多空交杂情况，面对季底结帐效应，估计未来合约价走势...

NAND 2009-05-15

NAND存储器系统解决方案

恒忆半导体（Numonyx）、群联电子（Phison Electronics Corp.）和海力士（Hynix）今天宣布三家公司签署一份合作开发协议，三方将按照...

Numonyx Hynix NAND 2009-05-08

iSuppli公司维持对DRAM的负面评级，仍对NAND持谨慎看法

在面临破产威胁之际，许多内存供应商为了维护自己的形象，纷纷强调潜在的市场复苏，试图向外界描绘出一幅比较乐观的图景。但是，虽然预计总体内存芯片价格将在2009年剩...

DRAM NAND 2009-04-24

三星有望稳居NAND首座海力士减产落居第5

针对NAND Flash产业，研究机构集邦科技最新研究报告指出，三星可望稳居今年全球市占率龙头宝座，而海力士则因大幅减产，市占率恐将下滑剩下10%，落居第5名。...

NAND 三星海力士英特尔美光 2009-04-21

ORNAND籍NOR架构挑战NAND

NOR和NAND闪存是目前广泛应用于消费类电子产品的两种主流闪存器件，由于不同的实现架构和性能，使两者在应用和性能上有着一定的差异。 Spansion公司在2...

NOR NAND MirrorBit 2009-04-20

美光公司 Insight奖

美光科技股份有限公司（纽约证券交易所：MU）今日宣布，Semiconductor Insights选择美光公司两项业内领先的DRAM和NAND创新作为其第八届I...

NAND DRAM 2009-04-03

FSI将ViPR全湿法去除技术扩展到NAND制造

半导体制造晶圆加工、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司宣布：一家主要的存储器制造商将FSI带有独特ViPR全湿法无灰化清洗技术的ZETA清洗系统扩展到N...

FSI ViPR NAND 全湿法 2009-04-02

FSI国际宣布将ViPR™全湿法去除技术扩展到NAND存储器制造

全球领先的半导体制造晶圆加工、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司（纳斯达克：FSII）今日宣布：一家主要的存储器制造商将FSI 带有独特ViPR&tra...

NAND ViPR FSI 2009-03-25

手持设备存储器的竞争：NOR-NAND[图]

NOR continues to battle NAND flash memory in the handset The features built int...

NOR NAND memory 2009-03-24

美光公司的NAND闪存和DRAM技术创新

美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.，纽约证券交易所：MU）今天宣布，美光的32Gb、34纳米NAND闪存和1Gb、50纳米DRAM...

NAND DRAM 2009-03-19

东芝迁移晶圆工厂提高产量降低成本

全球第二大闪存制造商东芝公司本周表示，未来两年将提高固态硬盘（SSD）生产量15倍，并计划将基于闪存的存储设备组装工厂从日本迁移到菲律宾，借此成为全球最大的固态...

东芝 SSD NAND 2009-03-13

美光发布行业密度最高的块抽象化NAND闪存产品系列

美光科技股份有限公司（纽约证券交易所：MU）今日公布其高密度系列的块抽象化(BA) NAND闪存，可用于个人媒体播放机和其他应用中。BA NAND是个单封装解决...

NAND 美光 2009-03-12

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