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ROHM 成功开发高耐压MOSFET

作者:  时间:2009-02-03 17:38  来源:
半导体制造商ROHM 株式会社 (总部设在京都市) 成功开发出面向液晶电视的背光逆变器、照明用逆变
器、马达驱动器和开关电源等所有使用桥接电路的装置,其性能达到业界超高水平※的高耐压功率MOSFET
「F 系列」。这一新产品系列预定从2009 年2 月开始供应样品 (样品价格300 日元/个),并于2009 年4
月开始以月产100 万个的规模批量生产。按计划,生产过程的前一段工序安排在ROHM/阿波罗器件株式会
社(福冈县)、 ROHM 筑波株式会社(茨城县) 进行;后一段工序则将在ROHM INTEGRATED SYSTEMS
(THAILAND) CO., LTD. (泰国) 完成。
近年来,随着液晶电视机等需要节能化的装置市场逐步扩大,对应用于这些装置的电源外围的晶体管等
半导体器件也提出了高效率化和削减元器件数量的要求。现在,作为高效率产品的500 to 600V 级高耐压
MOSFET,采用传统平面结构的已经不多,而开关速度快、导通电阻低的超结结构成了主流。但是,超结
结构在结构上存在一个需要破解的课题,那就是内部二极管的反向恢复时间 (以下称为: trr) 长。因此,在
应用于有再生电流流过MOSFET 的内部二极管的桥接电路等情况时,为了提高高频随动性而需要在漏-源
极间并联接入快速恢复二极管(以下称为: FRD)。
新开发的「F 系列」为使trr 达到高速化,成功地在超结MOSFET 的元件内部形成局部的陷阱能级,从
而使得trr 从160ns 缩短为70ns,也就是比普通的超结结构产品缩短约60%,这在业界前所未有。虽然在
元件内部形成陷阱能级就可以缩短trr,但这对于超结结构来说无论在结构上,还是在制造工艺上都是难点。
然而,这一次ROHM 解决了这一难题,在世界上首先开发出在元件内部形成局部陷阱能级的超结MOSFET。
于是,无需接入FRD 就可以应用于桥接电路,这对削减元器件数量、减小基片面积和达到高频化,使得变
压器等小型化,从而实现装置小型化、低成本化有很大的贡献。
ROHM 今后还要以这次开发成功的「F 系列」为首,
充分利用ROHM 独创的领先进制造工艺,努力开发能够抢先满足用户需求的晶体管产品。

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