继晶圆代工大厂台积电宣布跨入深紫外光(EUV)微影技术后，全球晶圆(Global Foundries)也在美国时间14日于SEMICON West展会中宣布，投入EUV微影技术，预计于2012年下半将机台导入位于美国纽约的12寸晶圆厂(Fab 8)，将于2014~2015年间正式量产。
由于浸润式微影(Immersion Lithography)机台与双重曝光(double-patterning)技术，让微影技术得以发展至2x奈米，不过浸润式微影机台采用的是 193nm波长的光源，走到22奈米已达光学极限，因此业界发展出采用13.5nm波长的EUV光源，仅浸润式微影光源的14分之1。
目前包括英特尔(Intel)、台积电、三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)等半导体大厂皆已向设备厂艾斯摩尔(ASML)采购EUV机台，投入EUV技术的研发。
Global Foundries资深研发副总Gregg Bartlett表示，Global Foundries不同于多数同业采购预产(pre-production)设备，而是直接采购量产型机台，预计于2012年下半导入位于纽约的12寸厂中，预计2014~2015年间进入量产。
Global Foundries于6月初在台湾宣布扩产计画，目前兴建中的纽约Fab 8原本预计2010下半年启用，未来将增加40%厂房空间，每月产能由4.2万片增加到6万片，制程技术由28奈米延伸至22~20奈米，新产能将在 2012年上线，并于2013年开始量产。
Gregg Bartlett进一步指出，虽然浸润式微影技术能够将制程推进到22/20奈米，然而成本高且复杂度也高，因此需要其它的技术，而EUV就是最好的替代方案。
他也表示，Global Foundries是EUV LLC半导体产业联盟的的初创成员之一，曾参与多项EUV研发的重要里程碑，其中包括首款EUV测试芯片的生产，因此Global Foundries将继续维持领先地位，推动整个产业走向EUV的量产。”
Global Foundries主要竞争对手之一的台积电于2010年2月宣布，台积电将取得ASML的EUV微影设备，并安装在竹科12寸厂Fab 12超大晶圆厂(GigaFab)中，用以发展新世代的制程技术。
EUV技术由于设备投资金额高昂，加上所需的光罩成本亦相当高昂，然而浸润式双重曝光(double patterning)复杂度大增，因此目前在22奈米制程，哪里个技术会是主流尚无定论，而台积电也同时在发展无光罩(maskless)的电子束 (E-beam)技术，因此也让发展较晚的电子束技术，扭转情势成为22奈米以下制程的候选技术之一。
然而随ASML的6台EUV设备即将陆续出货，届时其量产成果将成为业界的重要指标，EUV是否能成为主流技术，未来1~2年将是重要关键。