Hynix开始量产20nm级别64Gb存储密度NAND闪存

　　南韩内存厂商Hynix公司日前宣布已开始量产20nm制程级别64Gb NAND闪存芯片，这款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工厂生产的。Hynix公司表示，升级为2xnm制程节点后，芯片的生产率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手机，SSD 硬盘等的NAND闪存容量则将大有增长。

Hynix Cheong-ju M11工厂

　　Hynix公司称首款基于2xnm制程的NAND闪存芯片产品将于今年年底上市销售。Hynix公司虽然不是IBM FishKill半导体技术联盟(主要包括IBM,三星，特许(已被GF收购)，GF，意法半导体，飞思卡尔，东芝，英飞凌，NEC等)的成员，但这家公司与该联盟成员之一的意法半导体公司有合作关系。