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台积电加573亿先进制程 主攻20nm及FinFET

作者:  时间:2013-08-16 08:55  来源:经济日报

  晶圆龙头台积电13日董事会通过573.65亿元资本支出,连同上次核准金额,合计为2033.65亿元,约占台积电全年资本支出上限100亿美元的68%,显示台积电加速先进制程脚步。

  台积电将今年资本支出上修至95至100亿美元(约新台币2990亿),只少许落后英特尔的110亿美元,是台湾投资计划最大的电子大厂。

  设备厂商透露,台积电加紧20纳米及16纳米先进制程量产及试产时程,添购所需设备,推估今年台积电全年资本支出,绝对会在上限100亿美元,而且明年也可能与今年相近。

  设备商表示,台积电追加573.65亿元的资本支出,主要用于20纳米、16纳米鳍式晶体管(FinFET)以下制程产能,有助于明年营收、获利成长。

  台积电日前公布28纳米上半年营收占比为29%,创单季新高,遥遥领先对手,预估今年28纳米占营收比重将比去年成长3倍。

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