据electronicsweekly网站报道，台积电公司近日宣称已经开发出一套采用Finfet双门立体晶体管技术制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已经采用这种制程造出了面积仅0.1平方微米的SRAM单元(内含6个CMOS微晶体管)，据称这种制程生产的芯片产品在0.45V工作 电压条件下的信号噪声仅为0.09V。
这种Finfet制程技术采用了双外延(dual-epitaxy)和多重硅应变(multiple stressors，指应用多种应力源增强沟道载流子迁移率的技术)技术，台积电宣称该制程生产出来的产品，不论是采用n型还是p型沟道的型号，其性能均“十分卓越”，其导通电流可分别达1200/1100uA/um，管子关闭时的漏电流则均仅100nA/um。
除了采用FinFET技术之外，这种新制程还采用了较先进的193nm沉浸式光刻技术，漏源级嵌入SiGe层沟道硅应变技术(从SiGe的名称上看，应该是仅针对P型沟道Fin)，并采用了HKMG(高K绝缘层+金属栅极)工艺。
今年12月份，台积电将在届时召开的IEDM大会上公布这种制程技术的细节。
有关Finfet，以及立体型晶体管与常规平面型晶体管区别的详细介绍，读者可阅读本站的这篇文章进行了解。