全球第2大DRAM记忆体厂海力士(Hynix)第4季业绩走弱，营运获利下滑加上淡季效应与产品价格走跌等因素，有鉴于大陆市场潜力巨大，该公司拟加码大陆资本投资金额，希望借此刺激营收。海力士大陆区负责人Lee Jae-woo接受Korea Times采访时表示，公司计划提高大陆厂制程技术，以生产高阶晶片。
海力士过去与恒忆半导体(Numonyx)合资在江苏无锡建厂，近期北京当局已批准海力士提出的收购计划，同意海力士以4.23亿美元，收购恒忆握有的20.7%股份，将无锡厂房转为海力士独资企业。
Lee指出，江苏外商投资属海力士无锡厂规模最巨，加上大陆当局提供行政协助，企业享有租税优惠，无锡厂于投产1年内便出现收益，当前该厂每月产能达16万片12吋晶圆，产能占海力士整体产出约5成，占全球DRAM产能11%左右。
当前公司从南韩派出上百名专业人士，赴无锡厂协助提升制程技术，以便该厂未来有能力生产高阶晶片。无锡厂当前倾注全力，加码投资，矢志于2011年起开始制造电脑用高阶记忆体晶片。
该厂将使用44纳米制程，加重高阶DRAM芯片产出比重，海力士2010年无锡厂投资金额总计将上探7亿美元，据该公司表示，该厂投资额将于2010年底攀升至55亿美元。此外海力2011年还会再度提升DRAM纳米制程技术。计划未来3年内每年皆将挹注等资金额，进行技术升级。
近期面对日本同业尔必达(Elpida)工布削减产能计划，Lee有意借机拉大与竞争对手差距。然因当前厂房尚有空间安装12吋晶圆设备，因此预期2013年前不会在大陆新建厂房。此外海力士与大陆本土企业无锡产业集团合资成立海太半导体，为海力士首座后端晶片(Back-EndChip)厂，当前已开始进行封测业务，每月产能达1亿片1GDRAM记忆体晶片。海太厂房邻近海力士无锡厂，可为海力士带来物流优势。
海力士认为大陆市场重要性攀升，决定采取先发制人策略，于当地进行高阶制程技术投资，目前已可见到初期效果。市场预估，2010年全球DRAM需求将有2成源自大陆地区。