要问2010年“International Display Workshops(IDW )”(会期:2010年12月1~3日,会场:福冈国际会议中心)的关键词是什么,笔者可以自信地说,是氧化物TFT。
在AMD(Active Matrix Displays)的8个分会中,有3个会议主题是与氧化TFT有关的。此外还有会议AMD1(有1项发表)、会议AMD2(有1项发表)、会议FLX5/AMD4(有1项发表),以及会议AMD5/OLED4(有2项发表)也做了有关氧化物TFT的发表,有源矩阵相关的会议发表中有一半讲的都是氧化物TFT。
从硅(Si)到氧化物……也许我们正处于这样一个过渡期。
三星:公开了利用第7代生产线试制的
韩国三星电子介绍了利用第7代生产线试制的IGZO(In-Ga-Zn-O)TFT的最新进展(论文编号:AMD8-1)。该公司在2010年11月的“FPD International
作为氧化物TFT实用化时所面临的课题,三星电子提到了电压应力导致的劣化、可视光及UV(紫外线)导致的劣化,以及钝化效应(低压下的劣化)。并且该公司还认为,导入刻蚀阻挡层是解决这些课题的最可靠手段。以栅极绝缘膜使用SiOx和SiNx的两种TFT来比较的话,虽然两者在初期特性上无多大差别,但偏压应力试验显示,使用SiOx的TFT要稳定得多,光照劣化试验也得了同样的结果。据该公司介绍,亚带隙DOS与光照劣化试验的Vth漂移量存在反关联特性,可通过优化退化条件来减少价带(Valence Band)附近的DOS,因此可靠性能够得到进一步提高。
友达光电:进行了涂布型IZO、
台湾友达光电(AUO)在氧化物TFT的3个分会上各发表了1项内容。
友达光电首先发表的是使用半色调掩模和O2等离子灰化工艺,以溶胶-凝胶法形成的涂布型IZO(In-Zn-O)TFT(论文编号:AMD7-3)。TFT的构造方面,栅电极采用MoW(300nm),栅绝缘膜采用SiNx(300nm),沟道部采用IZO(30nm),源极/漏极(S/D)金属采用AlNd(100nm)。迁移率略低,为
第2项发表与友达光电在IGZO TFT方面的最新开发动向有关(论文编号:AMD8
在回答问题的环节中,东京工业大学教授细野秀雄曾经提问到:“以发表人员拿出的图纸来看,不是Cu布线的话
第3项发表是与漏极感应势垒降低效应(DIBL:Drain Induced Barrier Lowering)和寄生TFT导致IGZO TFT特性不稳定相关的内容(论文编号:AMD9-3)。为了分析TFT劣化的机理,友达光电提出了IGZO中H2O分子的运动模型。并表示,要想确保可靠性,重要的是要能够控制器件中的H2O分子,只要通过6小时的最终退火即可将H2O分子从沟道区域中基本去除掉,使特性趋于稳定。