东芝:通过中间退火工艺来确保可靠性
东芝发表了通过优化中间退火工艺确保了可靠性的IGZO TFT(演讲编号:AMD9-2)。TFT的构造为带有刻蚀阻挡层的反错列型(Inverted Staggered Type)。与形成S/D金属后在N2气体中进行
东芝利用该IGZO TFT试制了有机EL面板。面板的指标如下。
工艺开发趋势日益明显
此次的IDW凸显出了氧化物TFT在工艺开发上的大趋势。在非结晶硅及多结晶硅TFT领域,业界正在开发通过氢化处理填充悬空键后尽量去除氢的工艺,而在氧化物TFT方面,由于氢会导致氧缺陷,因此还需要开发尽量减少氢影响的工艺。由不得不加入的氢所导致的缺陷必须要通过后退火进行恢复。相反,只要能够充分控制这一氢影响,实用化就只是时间问题了。