世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)宣布,公司与其技术合作伙伴密切合作开发的1200V Trench NPT IGBT(沟槽类型非穿通绝缘栅双极晶体管)工艺平台成功进入量产,成为国内第一家提供此类工艺代工的
在提倡节能减排、低碳经济的当今时代,具备节能效率高、便于规模化生产、较易实现节能智能化等优点的IGBT已成为功率半导体市场发展的主流技术。华虹NEC利用多年0.13um以上CMOS和功率MOSFET的经验,特别是华虹NEC领先的Trench技术,在沟槽的形貌、光滑度和填充等工艺性能稳定,可靠性高,可以很好地满足高端电力电子器件需求的优势,于2009年启动了IGBT技术研究和开发。目前已有多家客户基于华虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工艺平台开发产品,具有耐压高、漏电小、通态压降低、米勒电容小、可靠性高等显著优点,多项技术指标已达到业界先进水平。在此基础上,华虹NEC将继续开发更高电压和更大电流的IGBT技术。该技术的产品非常适合用于新能源汽车、家用电器、轨道交通、智能电网、太阳能逆变器等应用领域。
华虹NEC销售与市场副总裁高峰表示:“该项目的成功标志着华虹NEC已成功迈入IGBT代工领域,公司今后还将继续着力扩大该领域业务,吸引、争取更多的合作伙伴。”
在功率分立器件领域,华虹NEC是全球首家提供MOSFET代工服务的