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台积电称3D晶体管技术基础条件尚不成熟

作者:  时间:2011-05-09 18:05  来源:电子产品世界

  台湾积体电路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,TSM,简称:台积电)周四表示,在2D芯片容量达到极限之前,公司不会启用3D晶体管技术生产半导体,而且3D技术的基础条件尚不成熟。

  英特尔(Intel Co.,INTC)周三称,公司将一改在矽晶圆上创建2D集成电路的标准做法,转而采用3D晶体管生产技术。

  英特尔表示,利用3D晶体管比简单采用新一代生产技术益处更多。

  分析师们表示,上述计划或能帮助英特尔与竞争对手抗衡,之前,英特尔的芯片大多被高增长的智能手机市场拒之门外。

  台积电目前采用28纳米技术生产芯片,该公司计划在2013年转用更先进的20纳米技术。

  台积电研发部资深副总裁蒋尚义表示,自2003年以来公司一直在研发3D晶体管,但目前3D晶体管技术的工具和设计都还不成熟。

  蒋尚义还称,当公司采用比20纳米制程更先进的芯片生产技术,而2D晶体管的容量已达到极限,才会考虑采用3D晶体管。

  按收入计,台积电是全球最大的芯片代工企业。

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