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美光发布新款内存:30nm工艺 用于超轻薄设备

作者:  时间:2012-09-19 16:53  来源:中文业界资讯站

   三星昨日宣布量产面向下一代智能手机和平板机等便携设备的3xnm 2GB LPDDR3内存芯片,美光今天也宣布了另外一种DDR3内存的登场:30nm工艺制造的DDR3L-RS DRAM已经开始批量供应,主要针对超极本、平板机等超轻薄计算设备。

  DDR3L-RS此前被称作DDR3Lm,是对DDR3L规格的进一步优化,通过降低自我刷新耗电量(IDD6)来降低整体功耗,电压为标准的1.35V,同时保持与标准DDR3相同的性能、质量和可靠性,运行频率667/800MHz。

  IHS iSuppli认为这是一种非常出色的内存规格,预计会有不少超轻薄平台采纳它。

  美光的首批DDR3L-RS内存芯片采用30nm工艺制造,FBGA封装,单颗容量2Gb(128Mb×16/256Mb×8)、4Gb(256Mb×16/512Mb×8/1Gb×4),已经率先通过了Intel 7/C216系列芯片组、Ivy Bridge Core i7系列处理器新平台的各方面测试。

  美光还在试产更大容量的8Gb DDR3L-RS,分为256Mb×32、512Mb×16两种规格,运行频率800MHz,预计今年12月份正式投产。

  明年年初,我们则会看到基于下一代DDR4内存规格的新型DDR4-RS。

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