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英特尔美光公布存储密度更高的新型闪存芯片
英特尔和美光当地时间周二公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间,还能增加消费电子产品的存储容量。 新NAND芯片每个...
英特尔
NAND
闪存芯片
2010-08-19
海力士开始26nm的NAND闪存量产
韩国海力士声称,在其M11的300毫米生产线上开始利用20纳米技术进行64Gb的NAND闪存量产。 该公司在2月时曾报道拟进行20纳米级的64Gb的N...
海力士
20纳米
NAND
2010-08-12
Hynix开始量产20nm级别64Gb存储密度NAND闪存
南韩内存厂商Hynix公司日前宣布已开始量产20nm制程级别64Gb NAND闪存芯片,这款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工厂生产的...
Hynix
NAND
20nm
2010-08-10
苹果砸中闪存
iPhone、iPad等苹果i家族产品的热销,正引发连锁反应。 7月28日,闪存企业SanDisk全球高级副总裁兼零售业务部总经理Shuki Nir在...
NAND
闪存芯片
iPhone
2010-08-02
三星电子第二季度净利润36亿美元 同比增83%
据国外媒体报道,三星电子周五发布了该公司2010年第二季度财报。财报显示,受芯片业务大幅增长的推动,公司第二季度净利润同比增长83%。 在截至6月30...
三星电子
NAND
闪存芯片
2010-08-02
EUV要加大投资强度
未来半导体制造将越来越困难已是不争的事实。巴克莱的C J Muse认为如DRAM制造商正处于关键的成品率挑战阶段,在4x,3x节点时发现了许多问题。目前尽管...
半导体制造
DRAM
NAND
2010-07-29
三星明年将量产次世代NAND Flash
三星电子(Samsung Electronics)宣布,2011年将开始量产较既有快闪存储器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash...
三星电子
NAND
2010-07-27
三星与东芝联合 加快NAND Flash速度
三星和东芝公司已经宣布了一个合作计划,旨在制定新规范推动NAND快闪记忆体的传输速率,具体来说,两家公司致力于发展DDR 2.0 NAND型快闪记忆体和40...
三星
NAND
30nm
2010-07-26
智能手机增长将拉动存储芯片销售额增50%
应用在智能手机等产品中的NAND和NOR闪存芯片,以及DRAM内存芯片的销售额将由去年的68亿美元增长至今年的102亿美元。 iSuppli在一份声明...
飞索
智能手机
DRAM
NAND
NOR
2010-07-26
尔必达与Spansion签署NAND Flash代工协议
日厂尔必达(Elpida)将与飞索半导体(Spansion)扩大合作范围,双方除共同研发NAND Flash制程技术与产品外,尔必达将为飞索半导体代工生产N...
尔必达
NAND
2010-07-26
三星东芝支持高速DDR 2.0 NAND闪存标准
三星和东芝今天共同宣布,双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术:拥有400Mbps接口的DDR NAND闪存,即toggle DDR 2.0规范。两家公...
三星
NAND
东芝
2010-07-23
三星东芝将参与DDR2.0 NAND接口规范制定工作
闪存业两大巨头三星公司与东芝公司近日宣布将支持并参与第二代DDR NAND闪存标准规范的制订工作,这种新一代闪存标准规范的接口数据传输率将高达400Mbit...
三星
NAND
2010-07-23
尔必达赴台设NAND Flash研发中心
据了解,日商尔必达已决定来台设立研发中心,且选定投入高阶技术NAND Flash领域。尔必达来台投资研发中心金额约在50、60亿新台币,未来将与力晶等日系半...
TIMC
NAND
DRAM
2010-07-20
亚洲需求成全球半导体市场强力支撑
全球半导体市场需求成长已优于2008年秋季金融危机爆发前的水平,2010年5月半导体销售额续创新高。就地区别来看,含大陆在内的亚太市场占全球销售比重已过半并...
DRAM
NAND
2010-07-13
力晶聚焦NAND Flash 挑战20纳米
近期台湾创新存储器公司(TIMC)获得经济部补助,联合茂德、晶豪打算从NAND Flash产业重起炉灶,加上力晶、旺宏亦纷投入NAND Flash市场,3方...
TIMC
NAND
2010-07-08
因供不应求 NAND 闪存芯片价格三季度将上涨
据iSuppli称,随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品,今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。 iSuppli高级半导体分析师Rick Pierso...
NAND
闪存芯片
2010-07-05
三星电子拟向其美国芯片生产厂投入36亿美元
6月10日消息,据路透社报道,全球最大的记忆体芯片生产商韩国三星电子周四表示,计划投资36亿美元,扩大其在美国的芯片生产能力。 三星电子的海外唯一一家...
三星电子
NAND
2010-06-11
金士顿创办人称:看好DRAM下半年销售
6月3日消息,据台湾媒体报道,全球DRAM模组龙头美国金士顿创办人孙大卫昨天在台表示,DRAM厂的制程转换技术门槛不低,再加上智能手机等新的应用产品,带动D...
DRAM
NAND
智能手机
2010-06-04
存储器市场高涨引发全球前20大IC供应商排名大变
按IC Insight报告,在DRAM 及NAND市场高涨下,导致与之相关连的全球前20大半导体制造商排名中有10家位置发生更迭。 IC Insigh...
Hynix
存储器
DRAM
NAND
2010-06-01
迎战三星 台塑集团准备好了
南韩三星电子大张旗鼓扩充DRAM产能,引发各方关注。台塑集团总裁王文渊日前于内部会议表示,原先预期三星明年下半年启动扩产,其进度比预期快得多,惟集团与美光合...
三星电子
DRAM
NAND
50纳米
2010-05-25
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