韩国半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20纳米制程量产NAND Flash。此20纳米制程快闪存储器可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置，相较26纳米存储器，晶圆(wafer)产出量提高约25%。
海力士社长权五哲表示，自2010年8月投入量产的26纳米64Gb NAND Flash目前出货相当顺利。2011年中计划量产20纳米制程产品。海力士持续引领DRAM产品制程微缩趋势，然而NAND Flash产品技术方面在过去1、2年落后其它竞争业者，但开始量产26纳米NAND Flash之后，相信技术方面与其它先驱企业间的差距已大幅缩减。
海力士在30纳米制程NAND Flash开发及量产上虽然较其它竞争公司晚了近6个月，但推出26纳米产品后则将差距缩减至1季。外界也期待海力士是否能与其它竞争公司在相近的时期中推出20纳米产品。
海力士2010年第2季末32纳米以下NAND Flash产品比重约占整体产品30%，8月量产26纳米产品后，第3季末产品比重已超越50%。第4季则将可望达到70%。
海力士2007年NAND Flash产品占有率约19%，其后市场萎缩，接连关闭NAND Flash主要产线8寸厂，2010年第1季时市占率已下滑至个位数。
以 12寸厂为基准，三星电子(Samsung Electronics)每月产量30万片、日厂东芝(Toshiba)每月产量24万片，海力士目前每月产量仅7万片。海力士计划年底前将产能扩大至8 万片，但权五哲对于扩大NAND Flash投资方面则慎重表示，将会综合考量市场条件和竞争力等因素后，再进行投资。2011年投资金额目前尚未底定。
海力士2010年包含将DRAM生产设备转换为NAND生产设备等，在NAND Flash领域约投资1兆韩元(约8.96亿美元)。