据南韩电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics)已完成3D芯片生产系统的建构，正准备投入量产。近来英特尔(Intel)宣告领先全球开发出3D芯片，三星也表示持有相当数量的相关技术，且已确保量产技术。
业界专家认为，在行动应用处理器(AP)市场上初崭露头角的三星，透过引进英特尔3D技术，为进入市场已筹备一段时间。据南韩相关业者表示，三星系统LSI事业部不只确保多项3D芯片制程技术，也已完成量产系统架构，目前正在讨论何时投入量产。
三星投入量产的时程，可能与英特尔使用3D芯片技术制作Ivy Bridge的生产时期相近。也就是说三星和英特尔间使用3D芯片制程技术生产芯片的竞争，将会在2011年内正式展开。
三星所持有的3D芯片制程技术与英特尔所发表的3D芯片技术「tri-gate」，虽然基本理论相同，但形态完全相异，因此未来应不会发生专利侵权相关问题。
外电指出，三星自2006年起将3D芯片技术应用在50奈米1Gb DRAM，比英特尔更早掌握以3D立体结构生产芯片的诀窍。3D制程技术可应用在20奈米半导体，行动应用处理器的微细制程竞争势必也将越演越烈。
南韩业界专家表示，虽然与生产内存芯片有很大差异，但使用3D技数量产基本上是相同的，因此三星系统LSI事业部在生产3D芯片上应不会遇到太大困难，而最重要的产品性能就必须待产品上市后，才能进行观察。
三星相关人员表示，三星已确保3D芯片制程技术，但目前的行动应用处理器产品已可充分满足客户要求的水平，认为没有立即量产的必要性，将持续观察适合投入量产时机。