韩半导体大厂海力士(Hynix)21日上午发布2011年第2季财报。海力士第2季营收2.76兆韩元(约26.15亿美元)，营业利益4,470亿韩元(约4.24亿美元)，与2010年同期相比营收减少16%、营业利益减少56%，然与2011年第1季相比，虽然营收减少1%，但营业利益则增加了38%。
海力士表示，以美元计算的营收较第1季增加，然因汇率问题而出现较第1季减少的情况。
海力士表示，第2季初虽然面临淡季，但日本发生震灾后，各厂担忧日本供货短缺，而使需求短暂攀升，然而需求未达到预期，第2季中后期营收快速恶化等，市场变动相当大。
实际上第2季DRAM及NANDFlash等平均销售价格与第1季相比，DRAM减少1%、NAND则暴跌19%。出货量方面，DRAM维持与第1季相同水平，NAND则增加约36%。
海力士相关人员表示，下半年将进入旺季，但因欧洲财政危机及全球景气恢复趋势钝化，整体经济仍存在许多不透明的情况。海力士将会致力于微细制程转换及架构良好的产品收益结构，持续扩大与他厂竞争力的差距。
对于微细制程，海力士透露，2011年第1季投入生产的30纳米等级DRAM比重至年底将扩大至40%。而第2季末比重约占70%的行动装置、绘图、服务器用DRAM等高附加价值产品，也将持续维持其比例。
海力士将加快NANDFlash转换微细制程的速度，第2季末占比重约50%的20纳米等级产品，年底将扩大至约70%，次世代20奈米产品也计划于2011年下半投入量产。
海力士与日厂东芝(Toshiba)为确保在次世代存储器市场的主导权，合作研发STT-MRAM等，正持续为未来的竞争力做准备。