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内存价格暴跌 三星第二季度盈利堪忧
内存制造商三星电子公司一名高管称,因半导体产品可能出现剧烈亏损,公司4-6月的财务状况不可能比第一季度有所改善。 三星负责投资者关系的高级副总裁Chu W...
DRAM
内存制造商
半导体
2007-06-04
集成电路数字型号定义说明
ACT-X 高性能CMOS逻辑门系列(输入TTL兼容 具缓冲功能)AC-X 高性能CMOS逻辑门系列(具缓冲功能)ALS-X 高性能低功耗逻辑门系列(TTL兼容...
高速CMOS
TTL
CMOS
2007-06-03
iSuppli称韩国DRAM内存统治地位动摇
市场研究机构iSuppli警告说,长期占据全球DRAM内存工业统治地位的韩国公司,正处于未来三年内失去出货量领先地位的危险...
数字论坛
DRAM
NAND
2007-05-30
内存价格终于反弹 业内持不同意见
在5月18-25日,DRAM内存价格终于出现了反弹,业界分析家对该现象是标志着大范围的调整开始还是仅仅是一个短期现象持有不...
DRAM
内存
DDR2
2007-05-29
英飞凌、IBM、特许半导体、三星和飞思卡尔扩展技术合作联盟协议
IBM和其联合开发联盟伙伴英飞凌和飞思卡尔半导体以及Common Platform技术伙伴特许半导体和三星电子,签署了一系列半导体工艺开发和制造协议,以期在未来...
CMOS
纳米工艺
PDK
2007-05-29
奇梦达开始向高性能主板和超频内存模组厂商供应DDR3产品
奇梦达近日宣布,作为首批DRAM供应商之一 ,已开始向重要的主板厂商和超频内存模组制造商提供全新的DDR3组件和模组。此外,奇梦达新一代DDR3 DRAM产品已...
DDR3
DRAM
内存模组
2007-05-17
存储两重天 模拟获利高
随着各大半导体巨头陆续公布2006年(日历年)第四季度和全年财报,过去一年中半导体产业的一些脉络也逐渐清晰起来。半导体市场规模在2006年创出新高之后,2007...
DRAM
NAND
NOR
2007-05-17
一季全球DRAM收入排名
市场调研机构iSuppli公布最新调查报告称,今年第一季度在 DRAM储存芯片市场,全球储存芯片的销售收入达到96.7亿美元,比去年第四季度下降了9.9%,...
DRAM
2007-05-01
一种宽频带大摆幅的三级CMOS功率放大器
摘要:设计了一种用于耳机驱动的CMOS功率放大器,该放大器采用0.35μm双层多晶硅工艺实现,驱动32Ω的电阻负载。该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构,通...
CMOS
功率放大器
增益带宽
2007-04-28
奇梦达拟在新加坡构建300毫米晶圆厂
全球第二大储存芯片制造商、英飞凌分拆的新公司奇梦达宣布,为了提高产品销售,它计划将在新加坡构建一个300毫米晶圆工厂。 奇梦达表示,未来五年内新工厂将投资2...
DRAM
储存芯片
晶圆厂
2007-04-28
奇梦达欲通过扩大位于新加坡的300mm晶圆厂的前端产能来增强其在亚洲市场的地位
内存芯片的领先供应商奇梦达公司 (NYSE:QI) 近日宣布,公司计划通过在亚洲建造一个全资所有的300mm晶圆厂来增强其在亚洲市场的地位。根据全球半导体市场的...
晶圆厂
300mm晶圆厂
DRAM
2007-04-27
研诺推出ModularBCD 12V摆率控制负荷开关
开发商研诺逻辑科技有限公司,日前宣布推出业界首款集成式受压摆率控制的负荷开关——AAT4285,它能够支持12V电压的应用。AAT428...
负荷开关
ModularBCD
CMOS
2007-04-27
内存价格走势转趋稳定 第三季可能反弹
四月份DRAM内存的合同价格比一个月前下跌30%,四月下旬512Mb DDR2内存的最新报价为2.13美金。 DRAMeXchange认为四月下旬DRAM内存价...
DRAM
DDR2
内存
2007-04-27
基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计(图)
随着移动通信技术的发展,射频(rf)电路的研究引起了广泛的重视。采用标准cmos工艺实现压控振荡器(vco),是实现rf cmos集成收发机的关键。过去的vco...
cmos
压控振荡器
mos变容管
2007-04-24
芯片I/O缓冲及ESD电路设计
摘要:文章详细介绍了基于CMOS的芯片I/O缓冲电路分类,功能,电路及版图设计的一些考虑以及芯片引脚的静电保护问题。 关键...
缓冲电路
ESD
CMOS
2007-04-11
CMOS为移动通信设备设置影像标准
cmos 传感器具有许多ccd传感器无法比拟的优点,比如更快的帧速率,更少的元件数目,更低的系统成本和更低的耗电量。本文将与您一起探讨cmos图像传感器将如何改...
cmos
传感器
图像传感器
2007-04-11
一种采用共栅频率补偿的轨到轨输入/输出放大器
摘要:提出了一种采用共栅频率补偿的轨到轨输入/输出放大器,与传统的Miller补偿相比,该放大器不仅可以消除相平面右边的低频零点,减少频率补偿所需要的电容,还可...
轨到轨
缓冲级
放大器
CMOS
2007-04-05
Design of Analog CMOS integrated Circuits,
Design of Analog CMOS integrated Circuits,作者Behzad Razavi 这本书是我读的第一本ic设计的书,也是我们导...
CMOS
2007-04-02
ST手机相机产品新增200万像素的高度集成模块
世界CMOS影像技术的领导厂商、手机相机模块的最大供应商意法半导体*(纽约证券交易所代码:STM),针对大众主流手机相机市场推出一个新的200万像素相机子系统。...
CMOS
2007-02-08
L波段数字声广播接收机CMOS集成模拟前端
摘 要:本文设计了使用CMOS 工艺,单片集成的L 波段数字声广播(DAB) 接收机模拟前端。 接收机前端应用了三种方法来提高镜像抑制度:低中频双正交weave...
CMOS
射频
接收机前端
集成
低中频
weaver
镜像抑制
低噪声
2007-02-05
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