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尔必达2010年第四季度大亏3.6亿美元

　　存储器大厂尔必达(Elpida)公布2010会计年度第3季财报(2010年10~12月)，受存储器价格大跌拖累，尔必达第3季大亏296亿日圆(约3.6亿美元...

Elpida DRAM 2011-02-10

尔必达欲收购台湾力晶DRAM业务

　　1月31日消息，日本芯片巨头尔必达公司正就收购台湾芯片厂商力晶科技的DRAM业务进行洽谈。　　尔必达起初计划对力晶该项业务展开资本合作或合并的谈判，但现...

尔必达 DRAM 2011-02-01

安森美收购赛普拉斯CMOS图像传感器业务部

　　安森美半导体(ON Semiconductor)及赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor)宣布已签署正式协议，安森美半导体将以约3,...

安森美 CMOS 2011-01-31

赛普拉斯宣布其触摸屏控制器的产能将扩充三倍

　　赛普拉斯半导体公司日前宣布，将大幅提高其快速增长的TrueTouch触摸屏控制器的产能。赛普拉斯位于明尼苏达州布鲁明顿市的四号工厂及其主要的代工伙伴宏力半导...

Cypress TrueTouch CMOS SONOS 2011-01-26

DRAM内存价格接近谷底

　　来自存储芯片调研公司集邦科技的消息称，1月上半个月DRAM期货价已经接近谷底，下半个月价格可能持平或继续小幅下滑，然后在二季度开始回涨。　　本月初，2G...

Intel DRAM 2011-01-25

瑞萨开发出在逻辑LSI中混载DRAM的技术

　　瑞萨电子开发出了利用与标准CMOS工艺相近的方法在逻辑LSI中混载DRAM的技术。该项技术面向28nm工艺以后的产品，瑞萨电子将把该工艺的SoC(Syste...

瑞萨 DRAM CMOS 2011-01-21

瑞萨电子推出5款面向网络设备的存储器产品

　　瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向网络设备的高速存储器产品576Mb(Mbit)低时延 DRAM，品名分别为&m...

瑞萨电子 DRAM 存储器 2011-01-20

尔必达拟涨DRAM价格

　　日本经济新闻报导指出，日厂尔必达(Elpida)有意于2011年1月中旬调涨DRAM价，据国内外PC业者的说法，其要求的涨幅约10%。　　先前PC用DR...

尔必达 DRAM 2011-01-19

DRAM价格再次跌破台湾制造商成本

　　根据外电报导，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄已于本月6日、7日在台洽谈以瑞晶为控股公司，与力晶、茂德统合经营。不过力晶否认与尔必达有此接触，称仅透过三方...

尔必达 DRAM 2011-01-13

2010年DRAM产业忧多于喜

　　2010年DRAM产业虎头蛇尾，年初报价大涨至1颗DDR3报价达3美元，但年底却跌到1美元;但以获利来看，2010年只有力晶和瑞晶有赚钱，南亚科、华亚科和茂...

瑞晶 DRAM 2011-01-05

瑞晶宣布暂停出货给力晶

　　瑞晶31日公告，由于主要大客户兼母公司力晶的帐款逾期未付，因此即日起暂停出货给力晶;力晶表示，由于DRAM价格不佳，在财务上规画保守，目前正与尔必达(Elp...

瑞晶 DRAM 2011-01-04

海力士DRAM制程升级到30纳米级

　　海力士(Hynix)紧跟三星电子(Samsung Electronics)之后，将把DRAM的生产制程转换为30纳米级制程。海力士29日宣布，已开发出2款计...

海力士 DRAM 2010-12-31

海力士2011年计划投资26亿美元

　　据彭博(Bloomberg)报导，海力士(Hynix)计划资本支出3兆韩元(约26亿美元)，该公司发言人证实首尔经济日报(Seoul Economic Da...

海力士 DRAM 2010-12-29

台日DRAM是否会产业整合？

　　DRAM报价面临二次崩盘危机，过去曾被提及但最后铩羽的台日DRAM产业4合1大整并议题，再度被端上台面!日本外电指出，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄将于...

尔必达 DRAM 2010-12-28

手机记忆芯片热销

　　美国计算机记忆芯片大厂美光日前公布会计年度第1季(迄12月2日)财报，由于供智能型手机使用的记忆芯片需求殷切，不但抵销了个人计算机记忆芯片需求下滑的冲击，更...

美光 DRAM 2010-12-27

索尼向东芝买回工厂 CMOS传感器产量拟倍增

　　索尼 (Sony)计划以 500 亿日元 (5.972 亿美元) 价格，向东芝 (Toshiba)买回一座半导体工厂，好让用于智能型手机及其他设备的影像传感...

索尼 CMOS 2010-12-24

2010全球半导体市场增长远超预期

　　据市场研究公司iSuppli表示，今年全球半导体市场将较上年同期低迷的水平实现有史以来最大规模的增长，这主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增长。iSup...

半导体 DRAM 2010-12-22

基于单个功放的双频段RF前端设计

　　在现代无线通信系统中，射频功率放大器是实现射频信号无线传输的关键部件。由于移动通信用户数量的增加，单一的频率资源远远不能满足用户通话的需求，这就要求移动通信...

DCS 射频开关 CMOS 2010-12-21

硅CMOS技术可扩展到10nm以下

　　“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器(ReRAM)以及EUV曝光技术等新构造、新材...

CMOS 10nm 2010-12-15

2011年DRAM位元成长率上看50%

　　2011年DRAM产业中，虽然三星电子(Samsung Electronics)已揭露大扩产计划，包括兴建12寸晶圆厂Line-16，以及将现有Line-1...

三星电子 DRAM 2010-12-14

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