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金士顿扩大在DRAM模组领域的领先优势

　　据iSuppli公司，2010年上半年金士顿增强了在第三方DRAM模组市场中的统治地位，在模组成本上涨之际利用其强大的购买力扩大了市场份额。　　2010...

金士顿 DRAM 2010-12-10

三星TSV应用DRAM模块首次实现商用化

　　据南韩电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics)应用可大幅提升内存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技术开发...

三星 DRAM 2010-12-10

尔必达与Rambus签署新一期专利授权协议

　　Rambus虽说是专利官司大户，但他们也不是每次都靠这种方式挣钱。近日他们就与日本内存大厂尔必达签署了新一期的专利授权协议。　　此次双方签署的协议涉及产...

尔必达 DRAM 2010-12-08

海力士期望大陆市场能给其带来转机

　　全球第2大DRAM记忆体厂海力士(Hynix)第4季业绩走弱，营运获利下滑加上淡季效应与产品价格走跌等因素，有鉴于大陆市场潜力巨大，该公司拟加码大陆资本投资...

海力士 DRAM 2010-12-03

DRAM产业减产潮恐扩大

　　11月下旬DRAM合约价跌幅超过10%，让市场笼罩在乌云密布的气氛当中，29日DDR3 eTT(Effectively Tested)报价单日再跌7%，1G...

力晶 DRAM 2010-12-03

全球DRAM产业面临二次崩盘潮危机

　　全球DRAM产业再度面临二次崩盘潮的危机，虽然2010年上半年在供给不足的情况下，DRAM报价达到顶峰，但下半年却意外遇上个人计算机(PC)产业旺季不旺，加...

力晶 DRAM 2010-12-01

三星计划2011年下半推出20纳米级制程DRAM

　　三星电子(Samsung Electronics) 2011年将致力于提升DRAM存储器半导体制程技术水平，再拉大与其它竞争业者间差距。三星半导体事业部专务...

三星 DRAM 2010-11-23

江阴全力打造新传感器产业园区

　　新传感器产业作为近两年来逐渐升温的新兴产业之一，不断吸引着各方的眼球。作为信息通信产业的前沿领域和最新方向，新传感器产业是“感知中国&rdquo...

CMOS 传感器 2010-11-23

台塑力挺南亚科

　　台塑集团旗下DRAM大厂南科办理现金增资的时间点算是生不逢时，DRAM合约价和现货价持续崩盘，16日是南亚科现增案原股东缴款的最后截止日，但股价跌破现增价每...

台塑 DRAM 2010-11-19

Silicon Labs推出业界最具频率弹性CMOS时钟发生器

　　高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Laboratories (芯科实验室有限公司)今日发表业界最具频率弹性可在线编程的CMOS时钟发生器。新推...

芯科实验室 CMOS 时钟发生器 Si5350/51 2010-11-16

尔必达赴台融资引发DRAM台商恐慌

　　尔必达(Elpida)申请来台发行存托凭证(TDR)获得“经济部”工业局核准，尔必达社长坂本幸雄亲自来台，并与“经济部&...

尔必达 DRAM 2010-11-16

三星DRAM内存市场获得上升

　　据国外媒体报道，根据iSuppli发布的最新数据显示，三星电子又在DRAM内存市场上获得了上升。韩国三星电子在三季度实现DRAM销售44亿美元。比上一季度相...

三星 DRAM 2010-11-15

三星4Q再降DRAM价

　　据外电报导，三星电子(SamsungElectronics)已较其他竞争公司更具优越的成本竞争力，但在2010年第4季将持续调降DRAM价格，且计划于201...

三星 DRAM 2010-11-10

尔必达削减产能试图阻止芯片降价

　　据国外媒体报道，去年获得日本政府救助的芯片厂商尔必达今天表示，由于芯片价格的“意外”下滑，该公司计划将产能削减25%。　　在芯片...

尔必达晶圆 DRAM 2010-11-08

尔必达削减产能应对芯片降价

　　据国外媒体报道，去年获得日本政府救助的芯片厂商尔必达今天表示，由于芯片价格的“意外”下滑，该公司计划将产能削减25%。　　在芯片...

尔必达 DRAM 2010-11-05

尔必达标准型DRAM将依赖台厂

　　日系存储器大厂尔必达(Elpida)虽然预期2010年第2季(7~9月)财报较2009年同期大幅增加，但相较上季却是明显缩水，主要还是受到个人计算机(PC)...

尔必达 DRAM 2010-11-04

海力士Q3获利翻5倍

　　受惠于出货成长及转进优势芯片的策略奏效，南韩海力士半导体第三季营业利益创下历史次高记录。海力士预估，内存芯片价格将于明年第一季开始止跌回稳。　　海力士周...

海力士 DRAM 2010-11-01

海力士拟明年量产20纳米NAND Flash

　　韩国半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20纳米制程量产NAND Flash。此20纳米制程快闪存储器可应用于手机或平板计算机(Tablet PC...

海力士 DRAM 20纳米 2010-10-20

台DRAM厂4Q面临全亏危机

　　南亚科和华亚科20日将打头阵召开法说，然力晶却抢先公布第3季财报，税后获利19.36亿元，若加计瑞晶获利，第3季获利可望逼近30亿元;南亚科和华亚科则因为5...

力晶 DRAM 2010-10-20

存储器数据的软误差率(SER)问题

　　软误差率(SER)问题是于上个世纪70年代后期作为一项存储器数据课题而受到人们的广泛关注的，当时DRAM开始呈现出随机故障的征兆。随着工艺几何尺寸的不断缩小...

软误差率 DRAM 存储器 2010-10-14

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