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今年DRAM市场将维持双位数成长

　　IHS iSuppli(IHS-US)最新研究报告指出，受惠于动态随机存取内存(DRAM)整体出货量弹升10.8%，今年全球的DRAM模块市场成长仍将持续增...

三星电子 DRAM 2011-06-02

NAND Flash需求急冻模组厂濒临警戒线

　　全球NANDFlash市场需求在5月进入冰河期，不仅快闪记忆卡和随身碟应用需求大幅降温，甚至传出平板电脑及智慧型手机大厂亦出现砍单情况，记忆体零售和系统端需...

NAND DRAM 2011-05-27

尔必达“高明投资”方式应对DRAM需求增长

　　日本尔必达存储器正致力于通过小额设备投资实现大幅增产的“高明投资”方式。该公司预计2011财年(2011年4月～2012年3月)的D...

尔必达 DRAM 2011-05-23

茂德计划出售重庆8英寸芯片工厂

　　台系DRAM厂茂德由于资金窘迫，17日董事会通过处分100%转投资的重庆渝德科技，全力将手上资源用来保住仅存的中科12寸晶圆厂命脉;茂德指出，规划将出售范围...

茂德芯片 DRAM 2011-05-19

茂德结束在陆投资

　　DRAM 厂茂德科技日前公告，为集中资源在台湾母公司，董事会决议处分中国子公司重庆渝德科技股份，将暂时结束在大陆的投资。茂德是政府开放8吋晶圆厂赴大陆投资的...

茂德 DRAM 2011-05-18

三星成DRAM合约价增长推手

　　DRAM合约价再度喊涨成功，虽然5月上半涨幅仅2~3%，但传出三星电子(Samsung Electronics)成功将2GBDDR3模块价格拉升至19美元，...

三星 DRAM 2011-05-17

传尔必达放弃入股茂德的合作案

　　日经新闻12日报导，全球第3大DRAM厂尔必达(Elpida)已放弃和全球第7大DRAM厂茂德就加强合作关系的谈判。报导指出，尔必达于去年秋天就和台湾当局及...

传尔必 DRAM 2011-05-13

尔必达开发25纳米DRAM

　　据韩联社报导，三星电子(Samsung Electronics)半导体事业部社长权五铉在三星主要首长团会议中表示，日本DRAM制造厂尔必达(Elpida)虽...

尔必达 DRAM 2011-05-09

茂德6日起分盘交易　私募对象指向尔必达

　　台系DRAM厂茂德由于净值已低于股本10分之3，且会计师出具「继续经营假设有重大疑虑」之核阅报告，柜买中心在完成2010年和2011年第1季财报审阅后，将茂...

茂德 DRAM 2011-05-09

一季度全球DRAM内存芯片营收环比降低4%

　　市场调研公司集邦科技日前发布的全球一季度DRAM内存芯片市场统计报告显示，DRAM内存芯片市场该季度营收83亿美元，相比去年第四季度的86亿美元下降4%。 ...

DRAM DDR3 WiMAX 2011-05-06

尔必达全面量产30nmDRAM

　　日本尔必达存储器(Elpida Memory)宣布，将从2011年5月开始全面量产采用30nm工艺的DRAM。生产基地是该公司的广岛工厂和台湾瑞晶电子(Re...

尔必达 30nm DRAM 2011-05-03

分析显示全球半导体市场到2013年均增长将达9%

　　印度市场调研公司RNCOSE-Services近日发布调查报告称，全球半导体市场在2011-2013年的复合年均增长率将达9%，电脑和手机将是半导体销量增长...

芯片 DRAM 2011-04-20

智能手机和平板电脑需求急增尔必达上年度营益增加30%

　　日经新闻日前报导，日本DRAM龙头厂尔必达(Elpida)上年度(2010年度;2010年4月-2011年3月)财报显示本业获利状况的合并营益可望较前一年度...

尔必达智能手机 DRAM 2011-04-18

尔必达2010年度营业利益可望成长30%

　　受惠于平板计算机等产品用Mobile DRAM出货畅旺，且制程推进有助于撙节成本，尔必达(Elpida)2010会计年度(2010年4月~2011年3月)营...

尔必达 DRAM 2011-04-18

分析称日本地震可能提升全球半导体市场收入

　　4月6日消息，据国外媒体报道，有分析机构预测，日本地震可能提升全球半导体市场收入。　　受到3月11日日本地震和海啸的影响，芯片产业供应链遭到一定破坏，这...

芯片制造 DRAM 2011-04-06

海力士宣布下一代DDR4内存开发完毕

　　三星电子抢先行动整整三个月之后，另一家半导体大厂海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4内存颗粒、内存条开发完毕。海力士已经开...

海力士内存 2011-04-06

LPDDR2内存统治移动内存芯片

　　据市场研究公司IHS iSuppli称，由于智能手机和平板电脑目前配置的内存芯片很快将证明不能充分地处理应用程序，新型移动DRAM内存芯片占整个移动内存芯片...

内存芯片 DRAM 2011-04-02

OEM厂备货将拉高DRAM上旬合约价

　　虽然日本强震导致半导体生产链供货不顺，但是因各家计算机大厂手中仍有1-2个月库存，所以4月及5月份计算机出货仍没有太大问题，由于英特尔修正版6系列芯片组已恢...

半导体 DRAM 2011-04-02

海力士看好存储器价格反弹

　　韩国存储器大厂海力士(Hynix)对DRAM及NAND Flash产业后市，发表脱离谷底的看法，对于台系DRAM厂而言，可望注入强心针。在硅晶圆部分，海力士...

Hynix DRAM NAND Flash 2011-04-02

三星开始量产新型移动DRAM内存芯片

　　全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称，它已经开始大批量生产新型移动DRAM内存芯片。这种内存芯片在更薄的封装中增加内存的密度。　　三星在声明中称，三星本...

三星 DRAM 2011-03-28

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