dram;nand;nor

首页 >dram;nand;nor

尔必达成功试产25纳米DRAM

　　日本存储器大厂尔必达(Elpida)公布，已于2011年7月试产25纳米(nm)的2GB DDR3 SDRAM「EDJ2104BFSE/EDJ2108BFS...

尔必达 25纳米 DRAM 2011-08-03

DRAM产业极端化趋势渐显制程技术进展快速

　　个人计算机(PC)销售量不如预期，又遇上平板计算机挤压市场，导致2011年DRAM报价持续下跌，目前已濒临变动成本边缘，过去3年1次循环的存储器景气，现在景...

三星 DRAM 2011-08-02

日本尔必达不堪营运压力计划减产求生

　　全球第三大DRAM厂尔必达(Elpida)将减产，开启全球DRAM厂减产首部曲，一哥与二哥即三星与海力士(Hynix)是否跟进，将是全球DRAM产业能否起死...

尔必达 DRAM 2011-08-01

存储器产业群雄割据时代将再度来临

　　随著存储器容量越来越大，NANDFlash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面...

三星存储器 NAND 2011-08-01

纳米制程遇瓶颈业者纷纷投入3D存储器的开发

　　随著存储器容量越来越大，NAND Flash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方...

尔必达 NAND 2011-07-29

集邦科技称七月DRAM内存期货价格下降16%

　　市场调研公司集邦科技称，7月份DRAM内存价格上半个月下滑7%，下半个月又下滑9-10%，整个月的价格下滑幅度在15.9%，这为业界下半年前景展望蒙上一层阴...

集邦科技 DRAM 2011-07-29

今年游戏主机NAND flash内存密度提高40%

　　内存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主机和手持设备上的密集度仍将提高 40% 以上，而这是游戏最主要的游戏环境。　　今年家用游戏主机的 NAND 平均...

Sony NAND 2011-07-28

LSI推出CacheVault Flash高速缓存保护技术

　　LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技术，用于为 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供...

LSI NAND 2011-07-27

DRAM厂拚转型长期恐重演标准型产品历史

　　DRAM价格惨跌，也拖累DRAM厂营运表现疲弱，为拯救低迷的营运，各厂也纷纷减少标准型DRAM产能，转向其他利基型产品，希望能摆脱价格波动造成的影响，对此，...

南科 DRAM 2011-07-27

DRAM产业大者愈大过去十年仅三星获利

三星 DRAM 2011-07-27

三星、海力士代工起家　锲而不舍拚半导体龙头

　　三星电子(Samsung Electronics)现在在半导体产业呼风唤雨，但在20年前，三星在DRAM产业也不过是个技术仰赖日本大厂授权的业者，谁也没料想...

三星 DRAM 2011-07-26

海力士2Q营收26亿美元

　　韩半导体大厂海力士(Hynix)21日上午发布2011年第2季财报。海力士第2季营收2.76兆韩元(约26.15亿美元)，营业利益4,470亿韩元(约4.2...

海力士 DRAM 2011-07-25

海力士2Q营收26亿美元营业利益4.2亿美元

　　韩半导体大厂海力士(Hynix) 21日上午发布2011年第2季财报。海力士第2季营收2.76兆韩元(约26.15亿美元)，营业利益4,470亿韩元(约4....

海力士 DRAM 2011-07-22

2011年NAND闪存密度将增长40%以上

　　据IHS iSuppli公司的NAND闪存研究报告，尽管NAND闪存成本较高妨碍其进入游戏硬件，但2011年家庭游戏机与手持游戏机中的NAND密度将增长40...

索尼 NAND 2011-07-22

未来几年PC中的DRAM含量增长速度将会放慢

　　据IHS iSuppli公司的内存与存储报告，个人电脑(PC)中的DRAM含量增长速度将出现历史性的下降，2012年以后每台新PC中的DRAM含量的平均年度...

DRAM 操作系统 2011-07-22

台塑将导入20纳米DRAM制程

　　台塑表示不会放弃DRAM产业，将跨入20纳米微缩制程提高产品竞争力。台塑主管指出，目前50纳米的制程已经没有竞争力;南科与华亚科除由40纳米跨入30纳米的制...

台塑 20纳米 DRAM 2011-07-21

三星电子韩国新NAND厂预计9月投产

　　三星电子一家新的存储半导体制造厂将于9月投入运营。消息人士说，新厂编号为“Line-16”，主要生产NAND芯片。　　2010年...

三星 NAND 2011-07-19

东芝和SanDisk日本建第3个NAND半导体工厂

　　日前东芝和SanDisk在日本建立了第三家半导体工厂，以应对智能手机和平板电脑的快速发展而带来的对闪存芯片的大量需求。该工厂主要生产300毫米晶片NAND半...

东芝 NAND 2011-07-15

东芝与Sandisk共庆NAND闪存工厂Fab5正式投产

　　东芝株式会社与Sandisk公司日前共同庆祝位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。　　由于消费者对...

东芝 NAND 2011-07-14

DRAM报价直落尔必达逆势大举募资

　　DRAM产业产品价格一再破底，但DRAM厂募资脚步却从未停歇，像茂德计划募资是为寻找活下去的救命钱，尔必达(Elpida)日前也宣布要发行500 亿日圆(约...

尔必达 DRAM 2011-07-13

|‹

›|

在线研讨会

焦点