dram;nand;nor

首页 >dram;nand;nor

苹果三星风波引发四大半导体厂商主演四角恋大戏

　　最近举办的Semicon West2011半导体业界大会上，三星与苹果之间的知识产权争端事件显然会是一个有趣的话题。目前，三星正准备于8月份开始量产苹果手机...

三星 NAND 2011-07-12

尔必达拟发行新股筹资9.9亿美元

　　据路透社报道，世界第三大芯片制造商日本尔必达公司近日计划发行新股和可转换债券，融资近800亿日元(折合9.92亿美元)。尔必达从传统的DRAM芯片生产转向了...

尔必达 DRAM 2011-07-12

DRAM钱坑台塑集团进退两难

　　联电荣誉副董事长宣明智暗指台塑集团可以出面集成台湾DRAM产业，南亚科表示，无法评论此事;存储器业界则认为，台塑集团虽然资金实力雄厚，但DRAM 产业走到现...

台塑 DRAM 2011-07-11

DRAM成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓

　　据IHS iSuppli公司的研究，随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术，该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。　　虽然最近几个季度D...

DRAM 光刻 2011-07-11

茂德再度减资85%

　　茂德再度启动2次减资计划，继2010年4月宣布减资65%后，2011年7月6日董事会中再度通过减资85%，预计将在第3季底前完成减资程序，之后将办理增资引进...

茂德 DRAM 2011-07-08

传世界先进有意投资茂德中科12吋厂

　　茂德申请负债降息暂化解当前财务危机后，引进新资金成为当务之急，业界已传出多组人马正评估有条件投资茂德，或对旗下中科12吋晶圆厂有兴趣，近期已有第1个出价者浮...

茂德中科 DRAM 2011-07-05

瑞晶成30纳米制程转换最快的台湾DRAM厂

　　瑞晶董事会日前通过30纳米制程转换资本支出18.15亿元决议案，并冲刺单月产能到年底达到8.8万片，成为迈向30纳米制程进展最快的台系DRAM厂。此外，董事...

瑞晶 DRAM 2011-07-04

力成科技布局先进封装技术

　　力成科技积极自内存封测业务往先进封装技术布局，继先前买下茂德厂房以作为实验工厂后，转投资公司聚成科技的新竹厂也在3月动土，预计2012年第3季装机试产。力成...

封装 DRAM 2011-07-04

华芯预计内存芯片业务收入将过亿元

　　华芯半导体公司市场营销部经理殷和国6月28日在深圳集成电器创新应用展上对《第一财经日报》透露，预计今年内存芯片业务(DRAM)将为公司带来超过1亿元的收入。...

华芯 DRAM 2011-06-30

尔必达宣布开始销售DDR3 DRAM样品芯片

　　日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用穿硅互连技术(TSV)制作的DDR3 SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3 SDRA...

尔必达 DRAM 2011-06-29

尔必达开发出全球最薄的DRAM

　　日本半导体巨头尔必达及其子公司秋田尔必达22日宣布，已开发出全球最薄的动态随机存储器(DRAM)，4块叠加厚度仅为0.8毫米。　　超薄DRAM将有助于减...

尔必达 DRAM 2011-06-23

Mobile RAM防线恐失守

　　行动装置风潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服务器DRAM等，俨然已成为DRAM厂最佳避风港，然在各家存储器大厂一窝...

DRAM NAND 2011-06-20

Hynix开发出20nm制程64Gbit密度MLC NAND闪存芯片

　　Hynix半导体公司在近日举办的2011VLSI研讨上宣布成功研发出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND闪存芯片，Hynix称这款产品是业...

Hynix NAND 2011-06-17

尔必达2Gbit LPDDR2产品使用HKMG技术

　　日本尔必达公司近日宣布成功开发出了DRAM业界首款使用HKMG技术的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程级别DRAM芯片产品。HKMG技术即指晶体管的栅...

尔必达 DRAM 2011-06-16

台湾尔必达高层异动大举整顿在台PC DRAM代理策略

　　日系存储器大厂尔必达(Elpida)台湾人事和营运布局大地震，总经理谢俊雄6月初闪电退休，职缺暂由全球业务副总张士昌兼任，同时尔必达也着手整顿台湾PC DR...

尔必达 DRAM 2011-06-10

海力士半导体放缓NAND Flash工艺转换速度

　　南韩半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NAND Flash产品群，近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NAND Flash产...

海力士 NAND 2011-06-10

晶圆代工决胜18寸厂

　　从技术投资与市场竞争力的观点来看，半导体业者从12寸厂拓展至18寸厂，以提升产能规模，已是不可避免的发展趋势。然而，18寸厂的建置正面临严峻考验，因此未来全...

DRAM 晶圆代工 2011-06-08

需求趋缓致NAND闪存芯片价格下降

　　由于苹果等大型企业的需求不够强劲，导致5月的NAND闪存芯片合约价格“快速”降低。　　今年5月的NAND芯片价格的降幅已经超过1...

ipad NAND 2011-06-07

南韩媒体称海力士半导体30纳米工艺转换不顺

　　据南韩电子新闻报导，全球主要DRAM内存芯片业者陆续投入微细制程转换作业，然而海力士半导体(Hynix)在转换到30纳米制程上正遭遇瓶颈。在微细制程转换竞争...

Hynix DRAM 2011-06-02

今年DRAM市场将维持双位数成长

　　IHS iSuppli(IHS-US)最新研究报告指出，受惠于动态随机存取内存(DRAM)整体出货量弹升10.8%，今年全球的DRAM模块市场成长仍将持续增...

三星电子 DRAM 2011-06-02

|‹

›|

在线研讨会

焦点