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德州仪器推出低导通电阻的全面集成型负载开关

日前，德州仪器(TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在3.6 V 电压下所提供的5.7 m 标准导通电阻 (rON) 比同类竞争产品低 4 倍。TI TP...

德州仪器负载开关导通电阻 2009-12-18

德州仪器推出具有最低导通电阻的全面集成型负载开关

2009 年 12 月 17 日，北京讯日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 mW 标准导通电...

TI 负载开关导通电阻 2009-12-17

Diodes推出为VoIP应用优化的全新MOSFET

Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。 ZXMN1...

Diodes MOSFET VoIP 2009-12-02

ADI推出具有高开关速度和过温保护功能的MOSFET驱动器

-- ADI 公司的 ADP36xx 系列18V MOSFET 驱动器为电源转换及控制设计提供2A 和4A 的峰值电流，并具有最佳的传播延迟和边沿上升/下降时间...

ADI MOSFET 驱动器传播延迟 2009-12-02

Vishay推出业界最小的芯片级MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si84...

功率 MOSFET 电源管理 Vishay 2009-11-04

Rohm BD95513MUV 3A开关电源方案

Rohm 公司的BD95513MUV 是在低输出电压(0.7V-5.0V)能提供高输出电流(高达3A)的开关稳压器,输入电压从4.5V到28V. BD95513...

BD95513MUV 开关电源 N-MOSFET DC/DC转换 2009-11-03

安森美扩充计算机和游戏机应用电源管理系列

安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体...

安森美 MOSFET 计算机游戏机沟槽技术 2009-10-29

Advanced Analogic Technologies 推出应用于生物安全器件的最低功率负载开关

Santa Clara, Calif. – 专注于消费类、工业类和电信市场的模拟器件半导体公司Advanced Analogic Technolog...

生物安全器件负载开关低功率 AAT4702 2009-09-10

飞兆推出30V MOSFET器件FDMS7650

率先突破1mOhm最大RDS(ON)障碍提高服务器中心 (server farm) 的效率飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)...

RDS(ON) MOSFET Power 56封装服务器 2009-09-04

IR推出基准工业级30V MOSFET

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列获得工业认证的30V ...

IR MOSFET UPS ORing 2009-08-27

IR IRMD2336DJ三相栅极驱动参考设计

IR公司的IRS2336xD是高压高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有三个高边和低边参考输出通路,能驱动多达6个IGBT/MOSFET功率器件,每路的...

IRMD2336DJ 三相栅极驱动 MOSFET IGBT 2009-08-20

IR推出150V和200V MOSFET为工业应用提供极低的闸电荷

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出一系列150V和200V H...

MOSFET 闸电荷无铅 DC-DC功率转换 2009-08-17

Diodes 推出适合LCD背光应用的新型MOSFET 器件

Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封...

显示器功率处理 MOSFET 2009-08-11

Diodes 推出适合LCD背光应用的新型MOSFET 器件

Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封...

LCD背光 MOSFET CCFL驱动器 DMN3024LSD DMC3028LSD 2009-08-11

P沟道MOSFET提供极低RDS(ON)

飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FD...

MOSFET ESD 2009-07-31

半导体C-V测量基础

C-V测量为人们提供了有关器件和材料特征的大量信息通用测试电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外...

C-V测量 MOSCAP MOSFET 吉时利 2009-07-29

美国：处理废旧电器的环保新方法

Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封装，包含一对互补100V增强式MOSFET，性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A81...

MOSFET 驱动功率 2009-07-06

Diodes优化直流风扇及逆变器设计

Diodes 公司推出四款半桥MOSFET 封装，为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸，极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。 Diodes...

直流风扇逆变器 MOSFET 2009-07-01

Diodes推出新型MOSFET 半桥器件,优化直流风扇及逆变器设计

　　Diodes 公司推出四款半桥MOSFET 封装，为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸，极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。　　Di...

Diodes MOSFET 封装直流风扇 CCFL 逆变器 ZXMHC 元件 2009-06-30

英飞凌下一代CoolMOS™ MOSFET

今日在中国国际电源展览会上，英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V...

MOSFET CoolMOS 英飞凌 2009-06-22

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