在金融海啸后，12寸晶圆需求快速成长，正式跃居市场主流，下一世代18寸晶圆的发展亦备受各方瞩目，尤其英特尔将于新晶圆厂中，支持18寸晶圆技术，台积电也呼吁设备发展加速，不过，正是由于设备发展速度赶不上进度，加上成本仍太高，让18寸晶圆迈入量产的时间点，恐怕再往后延。
2008年时，台积电与英特尔、三星电子(Samsung Electronics)三大半导体巨头达成共识，宣布将于2012年进入18寸晶圆世代，进行试产。至于2012年的时间点推算，主要由于半导体过去约以10年作为1个世代交替，1991年全球第1个8寸厂投入量产，2001年12寸晶圆厂也导入生产，因此推估18寸晶圆厂将于2012年问世，距今仅剩约1年左右时间。
然而，过去两三年间，受到景气不振影响，不只半导体厂缩减资本支出，半导体设备商更是受损惨重，尤其18寸晶圆设备造价不斐，也让许多设备厂裹足不前。随著景气回升，半导体设备厂对于投资开发18寸晶圆的设备意愿回升，不过由于投资金额庞大，未来仍将是相当大的挑战。
2010年底，半导体大厂英特尔(Intel)首度证实，将于新晶圆厂D1X5支持18寸晶圆技术，显示英特尔在18寸晶圆研发脚步上已有长足的进展。
台积电指出，关于18寸晶圆的发展乐见其成，并且希望业界发展能够加速，若能符合成本投资效益，就能导入生产。台积电最新的Fab15是以12寸厂来规划，未来的Fab16则尚未规划，但若18寸晶圆发展能赶上，新厂房都保留弹性，视情况可做兼容18寸晶圆的规划。
业界指出，从过去经验来看，越大尺寸的晶圆产出的确有其效益，不过其效益恐怕并不如过去来的大。国际半导体设备暨材料协会(SEMI)指出，根据合理的分析，晶圆尺寸升级原本应使晶圆面积增加至2.25倍，但是实际只能带来1.24倍的乘数效益，仅为乐观期待的50%。
SEMI进一步指出，造成效益不如以往，主要是由于物理的限制，先进制程的微影和布植技术分别利用光束和离子束扫描，生产速度能够提升的幅度有限，每一片晶圆处理的时间将延长，因此大大抵销晶圆面积增加的乘数效益。另外，量测和检验的程序也是利用特定的物理方法，以扫描的方式来进行。总而言之，18寸晶圆设备的产能其实和12寸等级的不相上下，成本却将高出1.3倍。
业界也正在发展次世代的微影技术，希望能延续12寸晶圆的发展，业界计画在32纳米元件时配合升级成18寸晶圆，现在又推迟到22纳米，未来恐进一步推迟到11纳米，此外，能够投入18寸晶圆发展的设备商并不多，使得18寸晶圆厂问世的时间恐怕会再延后。