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IR推出车用平面MOSFET系列
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列,适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动...
IR
MOSFET
2011-02-15
国际整流器公司扩大汽车专用MOSFET 组合
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布扩大了旗下包括逻辑电平器...
IR
MOSFET
2010-12-22
Diodes新即插即用器件提升负载点转换器效率
Diodes公司推出两款新型双通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD,扩展了旗下DIOFET产品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD...
Diodes
mosfet
2010-12-13
恩智浦发布业界最低RDSon的30V MOSFET
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.今天发布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET,拥有业界最低RDSo...
恩智浦
MOSFET
2010-12-13
设计降压转换器
设计降压转换器并不是件轻松的工作。许多使用者都希望转换器是一个盒子,一端输入一个直流电压,另一端输出另一个直流电压。这个盒子可以有很多形式,可以是降阶来产生...
SEPIC
MOSFET
2010-12-02
PI推出带集成控制器/MOSFET的HiperPFS产品
用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS产品,一款集成高压MOSFET并可实现...
PI
HiperPFS
MOSFET
控制器芯片
2010-11-10
低压驱动RF MEMS开关设计与模拟
近年来射频微电子系统(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到广泛关注,特别是MEMS开关构建的移相器与天线,是实现上万单元相控阵雷达的关键技术,在军事...
RF
MEMS开关
2010-11-10
满足供电需求的新型封装技术和MOSFET
在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代半导体技术,在效率等级、功率密度和可...
封装
散热
MOSFET
2010-11-08
Vishay推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,该MOS...
Vishay
Siliconix
MOSFET
2010-11-05
Diodes 推出强固型MOSFET
Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件,扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处...
Diodes
MOSFET
2010-10-28
IR拓展车用DirectFET®2功率MOSFET系列
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布拓展了车用DirectF...
IR
MOSFET
2010-10-26
英特尔关注未来行业
据外媒报道,英特尔于昨日发布声明表示,公司将在美国工厂新一代制造工艺上投资60亿-80亿美元。 英特尔总裁兼首席执行官欧德宁称:“今天的声...
英特尔
制造工艺
2010-10-21
基于RF微功率芯片的测温系统设计
在农业生产活动中,温度、湿度信息的采集和传递是一项很重要的功能,以前粗放式生产,现在是追求高技术含量的精细化生产。农业上孵化、育种等场合,需要对温度实行控制...
测温系统
RF
AT89S52
2010-10-19
Vishay推出500V的N沟道功率MOSFET超低导通电阻
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、Si...
Vishay
MOSFET
2010-10-18
凌力尔特推出突破性RF至数字微型模块接收器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出两款突破性的 RF 至数字微型模块 (uModule®) 接收器 ...
凌力尔特
RF
接收器
2010-10-15
Diodes推出专为VoIP开发的新型60V N沟道器件
Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件,扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处...
Diodes
MOSFET
2010-10-09
用多相DC-DC转换器驱动高性能ASIC和微处理器
多相DC-DC转换器引出 当今的高性能ASIC和微处理器己广泛应用工控、通信航天等各个领域。但由于它的功率消耗较高,有时高达150W甚至超过,对于1V...
ASIC
MOSFET
DC-DC
2010-09-29
富士通战略投资Tensilica折射出什么信号?
本周二,Tensilica宣布富士通公司成为其战略投资者,但是没有透露富士通具体的投资数目。两家公司在声明中只是轻描淡写地评论了Tensilica DPU的...
富士通
LTE
RF
2010-09-28
瑞萨电子推出3款新型功率MOSFET产品
高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET(金属氧化物半导体晶体管)产品—&...
瑞萨电子
MOSFET
2010-09-15
飞思卡尔新器件加强在消费电子领域的RF领先地位
中国上海(飞思卡尔技术论坛), 随着消费者对更多集成的家庭娱乐设备和隐藏式外设需求的增加,射频(RF)器件的制造商正在设计性能更好、效率更高以及更经济的解决...
飞思卡尔
RF
MC1323x
2010-08-27
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