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传尔必达将与南亚科技展开合作谈判

　　据《日经产业新闻》报道，日本芯片厂商尔必达将于下月与中国台湾的竞争对手南亚科技展开合作谈判。　　此举是尔必达创建日台芯片联盟计划的一部分，希望在DRAM...

尔必达 DRAM 2011-12-26

尔必达宣布移动设备DDR3内存开发完成

　　日本尔必达公司近日宣布，针对下一代移动设备如智能手机和平板电脑的LPDDR3内存颗粒开发完成，预计年底开始试产，2012年下半年开始量产。目前市面上的所今A...

尔必达 DDR3内存 2011-11-25

尔必达记忆体维持财年资本支出计划在800亿日圆不变

　　日本最大动态随机存取记忆体(DRAM)生产商尔必达记忆体(Elpida Memory)近日称,维持截至3月财年800亿日圆(11亿美元)的资本支出计划不变....

尔必达 DRAM 2011-10-28

尔必达拟将芯片生产移至台湾应对日元升值

　　为了应对日元升值以及动态随机存储器(DRAM)市场疲软状况，日本芯片巨头尔必达今天宣布，公司正考虑把位于广岛的工厂生产任务分阶段地移交给台湾子公司瑞晶电子。...

尔必达芯片 2011-09-16

尔必达成功试产25纳米DRAM

　　日本存储器大厂尔必达(Elpida)公布，已于2011年7月试产25纳米(nm)的2GB DDR3 SDRAM「EDJ2104BFSE/EDJ2108BFS...

尔必达 25纳米 DRAM 2011-08-03

日本尔必达不堪营运压力计划减产求生

　　全球第三大DRAM厂尔必达(Elpida)将减产，开启全球DRAM厂减产首部曲，一哥与二哥即三星与海力士(Hynix)是否跟进，将是全球DRAM产业能否起死...

尔必达 DRAM 2011-08-01

纳米制程遇瓶颈业者纷纷投入3D存储器的开发

　　随著存储器容量越来越大，NAND Flash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方...

尔必达 NAND 2011-07-29

DRAM报价直落尔必达逆势大举募资

　　DRAM产业产品价格一再破底，但DRAM厂募资脚步却从未停歇，像茂德计划募资是为寻找活下去的救命钱，尔必达(Elpida)日前也宣布要发行500 亿日圆(约...

尔必达 DRAM 2011-07-13

尔必达拟发行新股筹资9.9亿美元

　　据路透社报道，世界第三大芯片制造商日本尔必达公司近日计划发行新股和可转换债券，融资近800亿日元(折合9.92亿美元)。尔必达从传统的DRAM芯片生产转向了...

尔必达 DRAM 2011-07-12

传尔必达将发行新股和可转债融资9.9亿美元

　　北京时间7月11日午间消息，据知情人士透露，全球第三大DRAM制造商尔必达计划通过发行新股和可转换债券的方式融资800亿日元(约合9.92亿美元)。　　...

尔必达存储芯片 2011-07-12

尔必达采用TSV技术SDRAM芯片开始供货

　　尔必达存储器宣布，开始样品供货采用TSV(Through Silicon Via，硅贯通孔)技术积层4个2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1个接口芯片的...

尔必达 SDRAM 2011-06-30

尔必达宣布开始销售DDR3 DRAM样品芯片

　　日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用穿硅互连技术(TSV)制作的DDR3 SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3 SDRA...

尔必达 DRAM 2011-06-29

尔必达开发出全球最薄的DRAM

　　日本半导体巨头尔必达及其子公司秋田尔必达22日宣布，已开发出全球最薄的动态随机存储器(DRAM)，4块叠加厚度仅为0.8毫米。　　超薄DRAM将有助于减...

尔必达 DRAM 2011-06-23

尔必达2Gbit LPDDR2产品使用HKMG技术

　　日本尔必达公司近日宣布成功开发出了DRAM业界首款使用HKMG技术的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程级别DRAM芯片产品。HKMG技术即指晶体管的栅...

尔必达 DRAM 2011-06-16

台湾尔必达高层异动大举整顿在台PC DRAM代理策略

　　日系存储器大厂尔必达(Elpida)台湾人事和营运布局大地震，总经理谢俊雄6月初闪电退休，职缺暂由全球业务副总张士昌兼任，同时尔必达也着手整顿台湾PC DR...

尔必达 DRAM 2011-06-10

尔必达与联电力成合作开发TSV产品

　　看好3D市场，DRAM大厂尔必达日前宣布，将与台湾力成科技、联华电子正式签约，携手展开TSV产品的共同开发;尔必达表示，三方还将针对3D IC整合技术、28...

尔必达 3D芯片 2011-06-01

尔必达“高明投资”方式应对DRAM需求增长

　　日本尔必达存储器正致力于通过小额设备投资实现大幅增产的“高明投资”方式。该公司预计2011财年(2011年4月～2012年3月)的D...

尔必达 DRAM 2011-05-23

尔必达开发25纳米DRAM

　　据韩联社报导，三星电子(Samsung Electronics)半导体事业部社长权五铉在三星主要首长团会议中表示，日本DRAM制造厂尔必达(Elpida)虽...

尔必达 DRAM 2011-05-09

尔必达全面量产30nmDRAM

　　日本尔必达存储器(Elpida Memory)宣布，将从2011年5月开始全面量产采用30nm工艺的DRAM。生产基地是该公司的广岛工厂和台湾瑞晶电子(Re...

尔必达 30nm DRAM 2011-05-03

尔必达开发出25nm制程2Gb DDR3内存芯片

　　日本尔必达公司宣布开发出25nm制程2Gb密度DDR3内存芯片产品，这款产品可支持DDR3-1866规格，并兼容1.35V工作电压条件下的DDR3L-160...

尔必达 25nm 2011-05-03

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