飞兆半导体;mosfet; igbt;不间断电源

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IR 推出绝缘栅双极晶体管在线选择工具

　　国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新的绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 在线选择工具。该工具可有效优化多种应...

IR IGBT 2010-08-25

士兰微拟1.35亿元组建功率模块生产线项目

　　士兰微拟同意在子公司士兰集成内组建多芯片高压功率模块制造生产线，计划从2010年起在未来的2--3年内安排投资13,500万元，其中2010年投资2,500...

士兰微 IGBT 芯片设计 2010-07-30

IR推出全新HEXFET功率MOSFET系列

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新HEXFET®功...

IR HEXFET MOSFET SOT-23 2010-07-23

飞兆半导体推出150V MOSFET器件FDMS86200

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of M...

飞兆半导体 MOSFET FDMS86200 2010-07-23

飞兆半导体推出负载管理开关FPF1038/FPF1039

在设计机顶盒、超移动PC、移动互联网设备和电子书(eBook)等复杂性较高的消费电子应用产品时，设计人员需要能够解决电池管理和绿色能源难题的功率开关解决方案，而...

飞兆半导体开关 FPF1038 FPF1039 2010-07-19

晶圆代工涨15% 模拟IC点头

　　包括德仪、英飞凌、国家半导体(NS)、安森美(On Semi)等IDM厂，开出高于业界水平价格，包下台积电、联电、世界先进等晶圆代工产能，成熟制程产能...

飞思卡尔 MOSFET 模拟IC 2010-07-14

Vishay推出三款新型500V N沟道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- ...

Vishay MOSFET 2010-07-14

iSuppli：部分芯片产品交货期拉长至20周

　　市场研究机构iSuppli指出，部分模拟、逻辑、内存与电源管理IC 出现严重缺货现象，导致价格上扬与交货期延长至“令人担忧的程度”。...

电源管理 MOSFET 2010-07-12

飞兆半导体PFC控制器集成功能性以简化设计

为了满足能源之星(ENERGY STAR)法规要求并降低材料清单(BOM)成本，设计人员力求在总体产品设计中以更少的组件数目实现稳定的性能。这种对高能效设备的需...

飞兆半导体 PFC FAN7930 2010-07-12

Vishay推出新款ThunderFET™功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款Tren...

Vishay TrenchFET MOSFET 2010-07-09

飞兆半导体推出同步降压转换器产品FAN5362

由于移动电话和其它便携设备对存储功能的要求增加，出现了为更大容量的SD闪存卡供电的新兴需求。因此，飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconducto...

飞兆半导体降压转换器 SD闪存 2010-07-08

飞兆半导体推出重启定时器简化智能电话重启任务

消费者对具有丰富功能的手机的需求不断上升，使得智能电话日益流行，由多个或不完善的软件系统而产生的问题也随之出现。其中以 “白屏死机”问题...

飞兆半导体 FT8010 2010-07-05

英飞凌推出650V CoolMOS C6/E6高压功率晶体管

英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。该...

英飞凌 MOSFET 开关 CoolMOS 2010-07-02

IR推出采用 PQFN 封装和铜夹技术的新产品

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MO...

IR MOSFET DC-DC 2010-07-02

力挺新能源应用中国IGBT企业可另辟蹊径

　　今年6月，功率半导体业界的盛会“PCIMChina2010”在上海光大会展中心举行，国内外知名功率半导体厂商向与会观众展示了各自推出...

功率半导体 IGBT 2010-07-01

IGBT助变频器实现高效能低损耗

　　•随着IGBT升级换代，变频器性能不断提高，体积不断减小。　　•三菱电机在功率半导体领域的一个很大的优势就是贴近系统用户。　　日...

IGBT 变频器 2010-07-01

德州仪器推出高效率的同步MOSFET半桥

德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥，其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50...

德州仪器 TI MOSFET NexFET 2010-06-18

Vishay发布帮助客户节约器件空间和成本的视频教程

日前， Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为帮助客户了解在一个小尺寸器件内组合封装的高边和低边MOSF...

Vishay MOSFET DC-DC 2010-06-13

德州仪器推出高效率及功率密度的同步MOSFET半桥

德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥，其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50...

德州仪器 TI MOSFET 同步 NexFET 2010-06-09

Vishay改进ThermaSim在线MOSFET热仿真工具

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，对其ThermaSim在线MOSFET热仿真工具进行了改进，为...

Vishay MOSFET ThermaSim 2010-06-09

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