|pol 转换器|mosfet|

首页 >|pol 转换器|mosfet|

设计降压转换器

　　设计降压转换器并不是件轻松的工作。许多使用者都希望转换器是一个盒子，一端输入一个直流电压，另一端输出另一个直流电压。这个盒子可以有很多形式，可以是降阶来产生...

SEPIC MOSFET 2010-12-02

PI推出带集成控制器/MOSFET的HiperPFS产品

　　用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS产品，一款集成高压MOSFET并可实现...

PI HiperPFS MOSFET 控制器芯片 2010-11-10

满足供电需求的新型封装技术和MOSFET

　　在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代半导体技术，在效率等级、功率密度和可...

封装散热 MOSFET 2010-11-08

Vishay推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOS...

Vishay Siliconix MOSFET 2010-11-05

Diodes 推出强固型MOSFET

　　Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件，扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处...

Diodes MOSFET 2010-10-28

IR拓展车用DirectFET®2功率MOSFET系列

　　全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布拓展了车用DirectF...

IR MOSFET 2010-10-26

Vishay推出500V的N沟道功率MOSFET超低导通电阻

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、Si...

Vishay MOSFET 2010-10-18

Diodes推出专为VoIP开发的新型60V N沟道器件

　　Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件，扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处...

Diodes MOSFET 2010-10-09

用多相DC-DC转换器驱动高性能ASIC和微处理器

　　多相DC-DC转换器引出　　当今的高性能ASIC和微处理器己广泛应用工控、通信航天等各个领域。但由于它的功率消耗较高，有时高达150W甚至超过，对于1V...

ASIC MOSFET DC-DC 2010-09-29

泰鼎携业界首款集成的2D到3D转换器亮相IFA展会

　　在柏林国际电子消费频展览会(IFA)上，机顶盒和电视半导体解决方案领先供应商泰鼎微系统(NASDAQ: TRID)展出了行业首款具备顶尖3D性能的集成的2D...

泰鼎转换器 3D 2010-09-21

瑞萨电子推出3款新型功率MOSFET产品

　　高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET(金属氧化物半导体晶体管)产品—&...

瑞萨电子 MOSFET 2010-09-15

利用电源模块简化设计减少元件数量和空间需求

　　工程师和设计人员为了满足产品的最后期限要求，需要始终将重点放在最重要的核心架构系统设计方面。采用FPGA、DSP或微处理器设计是设计的关键部分，也最花费时间...

FPGA POL 电源 2010-09-02

IR推出为D类应用优化的汽车用DirectFET2功率MOSFET

　　全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天宣布推出汽车用 Dire...

IR MOSFET 2010-08-26

在分布式电源系统中采用集成DC-DC转换器节省空间、缩短研发时间

　　引言　　通过使用单个大功率、隔离型DC-DC模块将48V电压转换成一个中等电源，如12V或更低电压，可以获得较好的系统性能。将这一中等电压再转换到系统负...

电源开关调节器 PCB MOSFET 2010-08-25

IR推出全新HEXFET功率MOSFET系列

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新HEXFET®功...

IR HEXFET MOSFET SOT-23 2010-07-23

飞兆半导体推出150V MOSFET器件FDMS86200

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of M...

飞兆半导体 MOSFET FDMS86200 2010-07-23

SMPS提供了实现更高效率的方法

　　据估计，仅美国一个国家，正在使用的电子产品数量就达到25亿件，而每年又有4～5亿个新电源售出，所以改善电源效率对于能源效率达标、降低对全球能源的压力以及缓解...

SMPS 电源转换器机顶盒 2010-07-21

晶圆代工涨15% 模拟IC点头

　　包括德仪、英飞凌、国家半导体(NS)、安森美(On Semi)等IDM厂，开出高于业界水平价格，包下台积电、联电、世界先进等晶圆代工产能，成熟制程产能...

飞思卡尔 MOSFET 模拟IC 2010-07-14

Vishay推出三款新型500V N沟道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- ...

Vishay MOSFET 2010-07-14

iSuppli：部分芯片产品交货期拉长至20周

　　市场研究机构iSuppli指出，部分模拟、逻辑、内存与电源管理IC 出现严重缺货现象，导致价格上扬与交货期延长至“令人担忧的程度”。...

电源管理 MOSFET 2010-07-12

|‹

›|

在线研讨会

焦点