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Diodes推出专为VoIP开发的新型60V N沟道器件
Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件,扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处...
Diodes
MOSFET
2010-10-09
用多相DC-DC转换器驱动高性能ASIC和微处理器
多相DC-DC转换器引出 当今的高性能ASIC和微处理器己广泛应用工控、通信航天等各个领域。但由于它的功率消耗较高,有时高达150W甚至超过,对于1V...
ASIC
MOSFET
DC-DC
2010-09-29
瑞萨电子推出3款新型功率MOSFET产品
高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET(金属氧化物半导体晶体管)产品—&...
瑞萨电子
MOSFET
2010-09-15
利用电源模块简化设计减少元件数量和空间需求
工程师和设计人员为了满足产品的最后期限要求,需要始终将重点放在最重要的核心架构系统设计方面。采用FPGA、DSP或微处理器设计是设计的关键部分,也最花费时间...
FPGA
POL
电源
2010-09-02
IR推出为D类应用优化的汽车用DirectFET2功率MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 今天宣布推出汽车用 Dire...
IR
MOSFET
2010-08-26
在分布式电源系统中采用集成DC-DC转换器节省空间、缩短研发时间
引言 通过使用单个大功率、隔离型DC-DC模块将48V电压转换成一个中等电源,如12V或更低电压,可以获得较好的系统性能。将这一中等电压再转换到系统负...
电源
开关调节器
PCB
MOSFET
2010-08-25
IR推出全新HEXFET功率MOSFET系列
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出全新HEXFET®功...
IR
HEXFET
MOSFET
SOT-23
2010-07-23
飞兆半导体推出150V MOSFET器件FDMS86200
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of M...
飞兆半导体
MOSFET
FDMS86200
2010-07-23
晶圆代工涨15% 模拟IC点头
包括德仪、 英飞凌、国家半导体(NS)、安森美(On Semi)等IDM厂,开出高于业界水平价格,包下 台积电、 联电、世界先进等晶圆代工产能,成熟制程产能...
飞思卡尔
MOSFET
模拟IC
2010-07-14
Vishay推出三款新型500V N沟道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- ...
Vishay
MOSFET
2010-07-14
iSuppli:部分芯片产品交货期拉长至20周
市场研究机构iSuppli指出,部分模拟、逻辑、内存与电源管理IC 出现严重缺货现象,导致价格上扬与交货期延长至“令人担忧的程度”。...
电源管理
MOSFET
2010-07-12
Vishay推出新款ThunderFET™功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款Tren...
Vishay
TrenchFET
MOSFET
2010-07-09
英飞凌推出650V CoolMOS C6/E6高压功率晶体管
英飞凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。该...
英飞凌
MOSFET
开关
CoolMOS
2010-07-02
IR推出采用 PQFN 封装和铜夹技术的新产品
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MO...
IR
MOSFET
DC-DC
2010-07-02
德州仪器推出高效率的同步MOSFET半桥
德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥,其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50...
德州仪器
TI
MOSFET
NexFET
2010-06-18
Vishay发布帮助客户节约器件空间和成本的视频教程
日前, Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,为帮助客户了解在一个小尺寸器件内组合封装的高边和低边MOSF...
Vishay
MOSFET
DC-DC
2010-06-13
德州仪器推出高效率及功率密度的同步MOSFET半桥
德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥,其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50...
德州仪器
TI
MOSFET
同步
NexFET
2010-06-09
Vishay改进ThermaSim在线MOSFET热仿真工具
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,对其ThermaSim在线MOSFET热仿真工具进行了改进,为...
Vishay
MOSFET
ThermaSim
2010-06-09
选择高压场效应管实现节能
高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换...
热阻
MOSFET
UPS
2010-06-07
功率半导体下游需求旺盛 前景看好
功率半导体下游需求旺盛,发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强,iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为 2833亿美元,增长率达到23.2%。...
MOSFET
IGBT
2010-06-04
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