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Intel镁光新加坡闪存合资厂举办正式开业仪式

　　Intel与镁光的闪存合资企业IMFT在新加坡的新闪存工厂近日举办了正式开业仪式。这间工厂耗资近30亿美元，员工人数有望达到1200人。这间工厂从去年中期开...

Intel 闪存 2011-04-22

东芝Sandisk搭档组推出19nm制程NAND闪存芯片

　　上周，Intel和镁光发表联合声明，正式推出采用20nm制程技术制造的NAND闪存芯片产品，并称这款产品将于年内在IMFT属下的工厂开始生产。不过两家的头名...

东芝 NAND 2011-04-22

英特尔称其20纳米闪存技术领先三星

　　英特尔与美光称上周宣布了20纳米Nand闪存制造技术，英特尔称利用这一技术将有望制造出业界体积最小、密度最高的闪存装置。　　英特尔的非挥发性内存解决方案...

英特尔 20纳米闪存 2011-04-20

IM Flash向客户送样最新20纳米制程8GB NAND

　　据华尔街日报(WSJ)报导指出，由英特尔(Intel)和美光(Micron)出资各半成立的快闪存储器合资公司IM Flash，日前领先业界率先推出最新20纳...

Micron NAND 2011-04-18

英特尔和美光IM 厂合约将尽

　　英特尔(Intel)和美光(Micron)在2005年底携手抢进NAND Flash领域且成立合资公司IM Flash Technologies(IMFT)...

英特尔 NAND 2011-04-15

Intel与镁光将就NAND业务合作作重要宣布

　　Intel与镁光公司本周四将对NAND业务合作事宜作重要宣布，不过两家公司并没有透露这次宣布的详细内容是什么。据Web-Feet Research市调公司的...

Intel NAND 2011-04-14

海力士背负54.46亿美元债务

　　2001年海力士(Hynix)受景气波及，遭债权银行团接手并进行债务重整，时隔10年，海力士已成为全球第2大计算机内存芯片供货商。即使如此，海力士仍背负5....

海力士内存芯片 NAND 2011-04-13

海力士看好存储器价格反弹

　　韩国存储器大厂海力士(Hynix)对DRAM及NAND Flash产业后市，发表脱离谷底的看法，对于台系DRAM厂而言，可望注入强心针。在硅晶圆部分，海力士...

Hynix DRAM NAND Flash 2011-04-02

NAND Flash供给吃紧　二线平板计算机厂5月恐断货

　　硅晶圆断料阴影笼罩半导体产业，原本要展翅高飞的平板计算机、智能型手机等应用，现在都要看NAND Flash芯片后续供应情况，存储器业者指出，虽然3、4月供货...

硅晶圆 NAND 2011-03-24

日本强震影响苹果公司股价

　　据经济之声报道，苹果公司这几天股价连续大幅下滑，市值损失接近220亿美元。周五的股市交易中，苹果股价再一次小幅下挫。分析人士指出，在很多外在不确定因素的影响...

苹果 NAND 2011-03-22

日本地震带来的制造业连锁反应

　　虽然日本大地震引起的海啸抵达美国西海岸时已激不起大浪;但日本地震，却可能实实在在冲击到美国苹果公司刚上市的新品iPad2。　　技术专家拆解iPad2发现...

闪存 NAND 2011-03-18

苹果再施狙击式采购

　　苹果目前正在跟三星电子洽谈购买约78亿美元的零组件，内容包括屏幕、处理器、NAND闪存等，主要都是要用在 iPad、iPhone等产品上面。一旦该笔订单确定...

三星 NAND 2011-02-25

ClearNAND闪存改善系统设计

　　自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three...

闪存 SSD 2011-02-18

全新Spansion闪存产品为嵌入式应用提供突破性能

　　Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布已经扩大业内最快速的NOR闪存产品系列，从而为新一代汽车、消费电子和游戏等应用注入强劲创新力。Spans...

Spansion 闪存嵌入式应用 2011-02-18

CSR采用TSMC先进技术推出新一代无线产品

　　无线连接、定位与音频平台领导厂商CSR与TSMC昨日共同发布扩大双方合作关系，CSR已采用TSMC先进的90纳米嵌入式闪存制程技术、硅知识产权与射频CMOS...

CSR 闪存 CSR8600 2011-02-16

全球NAND Flash扩产竞赛3缺1

　　存储器大厂海力士(Hynix)2010年第4季获利受到DRAM报价下跌影响而骤降，除了积极布局非标准型DRAM相关的应用领域之外，市场认为目前全球4大NAN...

海力士 NAND 2011-02-15

闪存要成为硬盘的终结者

　　根据摩尔定律，性价比更高的闪存将取代硬盘，飞快占领存储市场。　　有些嘎吱作响的东西很容易让人联想到文物，比如硬盘。　　闪迪公司(sandisk)最近...

闪迪公司闪存 2011-02-15

SanDisk联手东芝进军10nm级别闪存工艺

　　2010年闪存芯片的制造工艺普遍都是30nm级别，2011年则将成为20nm级别普及的开端，同时10nm级别工艺的投资和研发也即将陆续开始。　　SanD...

SanDisk 10nm 闪存 2011-01-31

2011年NAND闪存销售额将实现两位数增长

　　据iSuppli公司，作为多种消费电子产品的事实性存储媒介，NAND闪存2011年将再度实现两位数的增长。　　2010年NAND闪存销售额创下最高纪录，...

三星电子 NAND 2011-01-17

英特尔亚太NAND Flash操盘手离职引发业者哗然

　　英特尔(Intel)跨足NAND Flash产业迈入第5年，但近期在策略上有诸多调整，引发存储器业界高度关注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡...

英特尔 NAND 2010-12-31

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