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>nand;闪存;mlc
Intel镁光新加坡闪存合资厂举办正式开业仪式
Intel与镁光的闪存合资企业IMFT在新加坡的新闪存工厂近日举办了正式开业仪式。这间工厂耗资近30亿美元,员工人数有望达到1200人。这间工厂从去年中期开...
Intel
闪存
2011-04-22
东芝Sandisk搭档组推出19nm制程NAND闪存芯片
上周,Intel和镁光发表联合声明,正式推出采用20nm制程技术制造的NAND闪存芯片产品,并称这款产品将于年内在IMFT属下的工厂开始生产。不过两家的头名...
东芝
NAND
2011-04-22
英特尔称其20纳米闪存技术领先三星
英特尔与美光称上周宣布了20纳米Nand闪存制造技术,英特尔称利用这一技术将有望制造出业界体积最小、密度最高的闪存装置。 英特尔的非挥发性内存解决方案...
英特尔
20纳米
闪存
2011-04-20
IM Flash向客户送样最新20纳米制程8GB NAND
据华尔街日报(WSJ)报导指出,由英特尔(Intel)和美光(Micron)出资各半成立的快闪存储器合资公司IM Flash,日前领先业界率先推出最新20纳...
Micron
NAND
2011-04-18
英特尔和美光IM 厂合约将尽
英特尔(Intel)和美光(Micron)在2005年底携手抢进NAND Flash领域且成立合资公司IM Flash Technologies(IMFT)...
英特尔
NAND
2011-04-15
Intel与镁光将就NAND业务合作作重要宣布
Intel与镁光公司本周四将对NAND业务合作事宜作重要宣布,不过两家公司并没有透露这次宣布的详细内容是什么。据Web-Feet Research市调公司的...
Intel
NAND
2011-04-14
海力士背负54.46亿美元债务
2001年海力士(Hynix)受景气波及,遭债权银行团接手并进行债务重整,时隔10年,海力士已成为全球第2大计算机内存芯片供货商。即使如此,海力士仍背负5....
海力士
内存芯片
NAND
2011-04-13
海力士看好存储器价格反弹
韩国存储器大厂海力士(Hynix)对DRAM及NAND Flash产业后市,发表脱离谷底的看法,对于台系DRAM厂而言,可望注入强心针。在硅晶圆部分,海力士...
Hynix
DRAM
NAND
Flash
2011-04-02
NAND Flash供给吃紧 二线平板计算机厂5月恐断货
硅晶圆断料阴影笼罩半导体产业,原本要展翅高飞的平板计算机、智能型手机等应用,现在都要看NAND Flash芯片后续供应情况,存储器业者指出,虽然3、4月供货...
硅晶圆
NAND
2011-03-24
日本强震影响苹果公司股价
据经济之声报道,苹果公司这几天股价连续大幅下滑,市值损失接近220亿美元。周五的股市交易中,苹果股价再一次小幅下挫。分析人士指出,在很多外在不确定因素的影响...
苹果
NAND
2011-03-22
日本地震带来的制造业连锁反应
虽然日本大地震引起的海啸抵达美国西海岸时已激不起大浪;但日本地震,却可能实实在在冲击到美国苹果公司刚上市的新品iPad2。 技术专家拆解iPad2发现...
闪存
NAND
2011-03-18
苹果再施狙击式采购
苹果目前正在跟三星电子洽谈购买约78亿美元的零组件,内容包括屏幕、处理器、NAND闪存等,主要都是要用在 iPad、iPhone等产品上面。一旦该笔订单确定...
三星
NAND
2011-02-25
ClearNAND闪存改善系统设计
自问世以来,NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题,但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three...
闪存
SSD
2011-02-18
全新Spansion闪存产品为嵌入式应用提供突破性能
Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布已经扩大业内最快速的NOR闪存产品系列,从而为新一代汽车、消费电子和游戏等应用注入强劲创新力。Spans...
Spansion
闪存
嵌入式应用
2011-02-18
CSR采用TSMC先进技术推出新一代无线产品
无线连接、定位与音频平台领导厂商CSR与TSMC昨日共同发布扩大双方合作关系,CSR已采用TSMC先进的90纳米嵌入式闪存制程技术、硅知识产权与射频CMOS...
CSR
闪存
CSR8600
2011-02-16
全球NAND Flash扩产竞赛3缺1
存储器大厂海力士(Hynix)2010年第4季获利受到DRAM报价下跌影响而骤降,除了积极布局非标准型DRAM相关的应用领域之外,市场认为目前全球4大NAN...
海力士
NAND
2011-02-15
闪存要成为硬盘的终结者
根据摩尔定律,性价比更高的闪存将取代硬盘,飞快占领存储市场。 有些嘎吱作响的东西很容易让人联想到文物,比如硬盘。 闪迪公司(sandisk)最近...
闪迪公司
闪存
2011-02-15
SanDisk联手东芝进军10nm级别闪存工艺
2010年闪存芯片的制造工艺普遍都是30nm级别,2011年则将成为20nm级别普及的开端,同时10nm级别工艺的投资和研发也即将陆续开始。 SanD...
SanDisk
10nm
闪存
2011-01-31
2011年NAND闪存销售额将实现两位数增长
据iSuppli公司,作为多种消费电子产品的事实性存储媒介,NAND闪存2011年将再度实现两位数的增长。 2010年NAND闪存销售额创下最高纪录,...
三星电子
NAND
2011-01-17
英特尔亚太NAND Flash操盘手离职引发业者哗然
英特尔(Intel)跨足NAND Flash产业迈入第5年,但近期在策略上有诸多调整,引发存储器业界高度关注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡...
英特尔
NAND
2010-12-31
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