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海力士开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存

2011-03-11

海力士加入美国芯片三维互连研究计划

2011-03-09

海力士拟将于3月前注资5.67亿美元扩厂

2011-03-01

海力士将投资5.68亿美元扩建工厂和支持研发

2011-02-25

全球NAND Flash扩产竞赛3缺1

2011-02-15

海力士无锡项目三期融资4.5亿美元

2011-02-01

海力士半导体债权人拟继续沽售剩余股份

2011-01-18

海力士DRAM制程升级到30纳米级

2010-12-31

海力士2011年计划投资26亿美元

2010-12-29

海力士半导体明年一季度开始量产30纳米芯片

2010-12-24

海力士期望大陆市场能给其带来转机

2010-12-03

海力士M8产线将以代工为重心

2010-11-23

海力士半导体将投资2.31亿美元以提高芯片产能

2010-11-22

海力士Q3获利翻5倍

2010-11-01

海力士拟明年量产20纳米NAND Flash

2010-10-20

景气虽不明 海力士仍持续投资30纳米制程

2010-10-13

海力士:股份收购者将出现

2010-10-08

韩国2015年前将非内存芯片份额提高一倍

2010-09-13

海力士进行内部组织重整强化后段制程

2010-09-08

惠普宣布与海力士合作开发新型内存

2010-09-01
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