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海力士2Q营收26亿美元

　　韩半导体大厂海力士(Hynix)21日上午发布2011年第2季财报。海力士第2季营收2.76兆韩元(约26.15亿美元)，营业利益4,470亿韩元(约4.2...

海力士 DRAM 2011-07-25

海力士2Q营收26亿美元营业利益4.2亿美元

　　韩半导体大厂海力士(Hynix) 21日上午发布2011年第2季财报。海力士第2季营收2.76兆韩元(约26.15亿美元)，营业利益4,470亿韩元(约4....

海力士 DRAM 2011-07-22

未来几年PC中的DRAM含量增长速度将会放慢

　　据IHS iSuppli公司的内存与存储报告，个人电脑(PC)中的DRAM含量增长速度将出现历史性的下降，2012年以后每台新PC中的DRAM含量的平均年度...

DRAM 操作系统 2011-07-22

台塑将导入20纳米DRAM制程

　　台塑表示不会放弃DRAM产业，将跨入20纳米微缩制程提高产品竞争力。台塑主管指出，目前50纳米的制程已经没有竞争力;南科与华亚科除由40纳米跨入30纳米的制...

台塑 20纳米 DRAM 2011-07-21

DRAM报价直落尔必达逆势大举募资

　　DRAM产业产品价格一再破底，但DRAM厂募资脚步却从未停歇，像茂德计划募资是为寻找活下去的救命钱，尔必达(Elpida)日前也宣布要发行500 亿日圆(约...

尔必达 DRAM 2011-07-13

尔必达拟发行新股筹资9.9亿美元

　　据路透社报道，世界第三大芯片制造商日本尔必达公司近日计划发行新股和可转换债券，融资近800亿日元(折合9.92亿美元)。尔必达从传统的DRAM芯片生产转向了...

尔必达 DRAM 2011-07-12

思比科微电子筹备上市：已完成股份制改造

　　7月10日，北京思比科微电子董事长陈杰在东莞松山湖IC创新高峰论坛上透露，公司已于去年12月完成公司股份制改造，现已进入创业板辅导流程。　　陈杰称，公司...

思比科 CMOS 2011-07-12

APTINA荣获成像技术创新大奖

CMOS成像技术的领先创新厂商Aptina公司宣布其Aptina ...

Aptina CMOS 2011-07-11

DRAM钱坑台塑集团进退两难

　　联电荣誉副董事长宣明智暗指台塑集团可以出面集成台湾DRAM产业，南亚科表示，无法评论此事;存储器业界则认为，台塑集团虽然资金实力雄厚，但DRAM 产业走到现...

台塑 DRAM 2011-07-11

DRAM成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓

　　据IHS iSuppli公司的研究，随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术，该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。　　虽然最近几个季度D...

DRAM 光刻 2011-07-11

茂德再度减资85%

　　茂德再度启动2次减资计划，继2010年4月宣布减资65%后，2011年7月6日董事会中再度通过减资85%，预计将在第3季底前完成减资程序，之后将办理增资引进...

茂德 DRAM 2011-07-08

Silicon Labs广播收音机IC出货量突破十亿颗

　　高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Laboratories 今日宣布其广播收音机IC出货量已达十亿颗，缔造了广播音频市场的重要里程碑。Sili...

Silicon-Labs IC CMOS 2011-07-06

传世界先进有意投资茂德中科12吋厂

　　茂德申请负债降息暂化解当前财务危机后，引进新资金成为当务之急，业界已传出多组人马正评估有条件投资茂德，或对旗下中科12吋晶圆厂有兴趣，近期已有第1个出价者浮...

茂德中科 DRAM 2011-07-05

瑞晶成30纳米制程转换最快的台湾DRAM厂

　　瑞晶董事会日前通过30纳米制程转换资本支出18.15亿元决议案，并冲刺单月产能到年底达到8.8万片，成为迈向30纳米制程进展最快的台系DRAM厂。此外，董事...

瑞晶 DRAM 2011-07-04

力成科技布局先进封装技术

　　力成科技积极自内存封测业务往先进封装技术布局，继先前买下茂德厂房以作为实验工厂后，转投资公司聚成科技的新竹厂也在3月动土，预计2012年第3季装机试产。力成...

封装 DRAM 2011-07-04

华芯预计内存芯片业务收入将过亿元

　　华芯半导体公司市场营销部经理殷和国6月28日在深圳集成电器创新应用展上对《第一财经日报》透露，预计今年内存芯片业务(DRAM)将为公司带来超过1亿元的收入。...

华芯 DRAM 2011-06-30

尔必达宣布开始销售DDR3 DRAM样品芯片

　　日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用穿硅互连技术(TSV)制作的DDR3 SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3 SDRA...

尔必达 DRAM 2011-06-29

尔必达开发出全球最薄的DRAM

　　日本半导体巨头尔必达及其子公司秋田尔必达22日宣布，已开发出全球最薄的动态随机存储器(DRAM)，4块叠加厚度仅为0.8毫米。　　超薄DRAM将有助于减...

尔必达 DRAM 2011-06-23

Mobile RAM防线恐失守

　　行动装置风潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服务器DRAM等，俨然已成为DRAM厂最佳避风港，然在各家存储器大厂一窝...

DRAM NAND 2011-06-20

尔必达2Gbit LPDDR2产品使用HKMG技术

　　日本尔必达公司近日宣布成功开发出了DRAM业界首款使用HKMG技术的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程级别DRAM芯片产品。HKMG技术即指晶体管的栅...

尔必达 DRAM 2011-06-16

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