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NAND Flash价格濒临成本线　静待大厂减产

　　全球NAND Flash产业在高容量32Gb和64Gb芯片产能持续开出下，9月下旬合约价续跌，其中，32Gb芯片合约价下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~1...

NAND DRAM 2010-10-09

NAND Flash跌价深　上游大厂开始对模块厂让步

　　NAND Flash价格经历一段大修正后，原本对于价格谈判完全不肯让步的上游NAND Flash大厂，在面对库存节节攀高的情况下，态度已开始松动，部分模块厂...

三星电子 NAND Flash 2010-09-06

尔必达已与Spansion开发出4G NAND闪存

　　尔必达内存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，该公司与Spansion公司(Spansion Inc.)已开发出一款新闪存芯片，拥有比...

尔必达 NAND 2010-09-06

分析称三星或超英特尔成为第一大芯片厂商

　　市场研究公司IC Insights日前预计，三星的芯片销售额或将在2014年超越英特尔。　　基于广泛的芯片产品及扩张计划，三星的芯片营收将很快超过英特尔...

三星芯片 DRAM NAND 2010-08-27

基于Freeze技术的低功耗设计

　　由于更严格的功耗限制、规范和标准要求，系统设计师现在比什么时候都关注功耗问题。对于下一代的设计，功耗预算通常得到稳定的控制，或者降低，但却增加了更多的特性和...

Flash Freeze 低功耗 2010-08-26

闪存在嵌入式Linux系统中的应用

　　O 引言　　Linux系统自诞生以来，不断发展壮大，支持越来越多的硬件体系，获得了日益广泛的应用，从服务器、桌面计算，到机顶盒、手机、路由器等，可以说无...

Linux 存储闪存 NAND 2010-08-25

Intel镁光生产出25nm 3位元NAND闪存芯片

　　Intel与镁光公司已经成功生产出基于25nm制程技术的3位元型NAND闪存芯片产品，目前他们已经将有关的产品样品送往部分客户手中进行评估，预计这款NAND...

Intel 25nm NAND 2010-08-23

英特尔和Micron称下一代25纳米NAND取得突破

　　据国外媒体报道，英特尔和Micron已经开始发布下一代25纳米NAND存储芯片，为达到最高效率，该芯片使用了三层存储单元技术。　　首款8GB和64GB芯...

英特尔 NAND 存储芯片 2010-08-20

iSuppli:闪存价格可能会跌到1美元/GB

　　iSuppli今天警告称闪存价格可能崩溃性地调整到1美元/GB，这是因为用于闪存产品的NAND记忆体价格今年开始冲高回落，并且技术的演变让内存单元的价位开始...

NAND SSD 2010-08-20

英特尔美光公布存储密度更高的新型闪存芯片

　　英特尔和美光当地时间周二公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间，还能增加消费电子产品的存储容量。　　新NAND芯片每个...

英特尔 NAND 闪存芯片 2010-08-19

海力士开始26nm的NAND闪存量产

　　韩国海力士声称，在其M11的300毫米生产线上开始利用20纳米技术进行64Gb的NAND闪存量产。　　该公司在2月时曾报道拟进行20纳米级的64Gb的N...

海力士 20纳米 NAND 2010-08-12

Hynix开始量产20nm级别64Gb存储密度NAND闪存

　　南韩内存厂商Hynix公司日前宣布已开始量产20nm制程级别64Gb NAND闪存芯片，这款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工厂生产的...

Hynix NAND 20nm 2010-08-10

苹果砸中闪存

　　iPhone、iPad等苹果i家族产品的热销，正引发连锁反应。　　7月28日，闪存企业SanDisk全球高级副总裁兼零售业务部总经理Shuki Nir在...

NAND 闪存芯片 iPhone 2010-08-02

三星电子第二季度净利润36亿美元同比增83%

　　据国外媒体报道，三星电子周五发布了该公司2010年第二季度财报。财报显示，受芯片业务大幅增长的推动，公司第二季度净利润同比增长83%。　　在截至6月30...

三星电子 NAND 闪存芯片 2010-08-02

EUV要加大投资强度

　　未来半导体制造将越来越困难已是不争的事实。巴克莱的C J Muse认为如DRAM制造商正处于关键的成品率挑战阶段，在4x，3x节点时发现了许多问题。目前尽管...

半导体制造 DRAM NAND 2010-07-29

三星明年将量产次世代NAND Flash

　　三星电子(Samsung Electronics)宣布，2011年将开始量产较既有快闪存储器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash...

三星电子 NAND 2010-07-27

三星与东芝联合加快NAND Flash速度

　　三星和东芝公司已经宣布了一个合作计划，旨在制定新规范推动NAND快闪记忆体的传输速率，具体来说，两家公司致力于发展DDR 2.0 NAND型快闪记忆体和40...

三星 NAND 30nm 2010-07-26

智能手机增长将拉动存储芯片销售额增50%

　　应用在智能手机等产品中的NAND和NOR闪存芯片，以及DRAM内存芯片的销售额将由去年的68亿美元增长至今年的102亿美元。　　iSuppli在一份声明...

飞索智能手机 DRAM NAND NOR 2010-07-26

尔必达与Spansion签署NAND Flash代工协议

　　日厂尔必达(Elpida)将与飞索半导体(Spansion)扩大合作范围，双方除共同研发NAND Flash制程技术与产品外，尔必达将为飞索半导体代工生产N...

尔必达 NAND 2010-07-26

三星东芝支持高速DDR 2.0 NAND闪存标准

　　三星和东芝今天共同宣布，双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术：拥有400Mbps接口的DDR NAND闪存，即toggle DDR 2.0规范。两家公...

三星 NAND 东芝 2010-07-23

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