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面对ARM 先进工艺成为Intel的头号利器
在其它半导体企业结盟都无法追赶新工艺脚步的时候,Intel独自一家却每每走在时代的前列,优势极为明显,而在进军移动领域、拼杀ARM的时候,先进的...
ARM
工艺
2012-09-11
EMS产业营收继续增长 OEM加强联络以确保优势供应链
据Lincoln International公司11月公布的分析数据显示,EMS产业营业收入继续保持快速增长,继2010年EMS产业营业收入比2009年创下...
EMS
工艺
2012-03-12
日本的传统技术与京瓷的先端技术相融合
京瓷株式会社(以下简称“京瓷”)生产的人工欧珀(京瓷生产的人工欧珀在日本称之为“京都欧珀”,因此以下简称&l...
京瓷
工艺
2011-10-22
瑞萨与松下联手开发领先SoC工艺
瑞萨科技公司与松下公司共同宣布,在瑞萨那珂分部(茨城县日立那珂市)集中精力联合开发领先的SoC工艺技术,并将其28-32nm工艺开发线投入运营。在瑞萨那珂分部,...
瑞萨
松下
SoC
工艺
2009-10-20
中芯国际将45纳米工艺技术延伸至40纳米以及55纳米
中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽约证交所股票代码:SMI,香港联合交易所股票代码:0981)今天宣布其45纳米的互补型金属...
中芯国际
工艺
2009-10-15
首个TFT-LCD工艺技术国家工程实验室开工
京东方投资175亿元的合肥六代TFT-LCD生产线动工才一周,21日上午,落户京东方、总投资1.8亿元的国内首个TFT-LCD工艺技术国家工程实验室奠基破土...
TFT-LCD
京东方
工艺
2009-04-22
高精度Bulk Metal® 箔电阻和Z箔电阻面世
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)发布了4款具有涂层封装、高性价比的高精度Bulk Metal®电阻...
电阻
工艺
2009-04-17
IBM与法国CEA/Leti联手研发22/16nm工艺
IBM与法国原子能委员旗下的电子信息技术研究所(CEA/Leti)宣布,双方已经签署了为期五年的合作协议,将共同致力于新型半导体和纳米电子技术的研发。 ...
IBM
CEA/Leti
22nm
16nm
工艺
2009-04-15
正确看待处理器核的功耗数据
具有板级设计经验的工程师一般对于处理器芯片的功耗水平都了如指掌,给定芯片的实现工艺和工作频率,就可以推断出处理器的功耗。然而对于可授权的处理器核IP来说,这种经...
处理器核IP
功耗
工艺
2008-11-13
ELEXCON2008系列报道-行业领袖话中国之六
村田:不断创新迎来更大发展空间 新的产品设计,来源于新的元件。新的元件来源于新的材料和工艺.村田公司从元件的视角一直努力于电子产品的革新。从1944年创立于日...
元件
材料
工艺
ELEXCON2008
2008-08-18
PSD 光电位置传感器的实现及SOI 结构研究
摘要: 分析了高灵敏度光电位置传感器(PSD)的设计和工艺制作过程,给出了器件制作工艺流程。对制作的器件进行了参数测试,测试结果为:响应波长为600~1200n...
光电位置传感器
电极
灵敏度
位置分辨率
工艺
线性度
SOI
2006-11-25
非接触式IC卡射频前端电路设计
摘 要:给出了一种基于ISO/IEC1444322 标准的非接触式IC 射频前端电路设计方案,详细叙述了典型模块的...
CMOS 工艺;射频前端;半波整流;调制;解调
2006-10-09
Cadence携手SMIC提供90纳米低功耗数字设计参考流程
Cadence 设计系统公司与中芯国际集成电路制造(SMIC)公司宣布,两家公司已经联合开发出低功耗数字设计参考流程,支持SMIC先进的90纳米工艺技术。该设计...
Cadence;SMIC;纳米;工艺;参考流程
2006-09-12
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