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下一代FD-SOI制程将跳过20nm直冲14nm
在一场近日于美国旧金山举行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技术研讨会上,产业组织SOI Conso...
ST
FD-SOI
10nm
2012-12-17
ST宣布les晶圆厂即将投产28纳米FD-SOI
12月13日,意法半导体宣布其在28纳米 FD-SOI 技术平台的研发上又向前迈出一大步,即将在位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂投产该制程...
ST
晶圆
FD-SOI
2012-12-16
华润上华第二代200V SOI工艺实现量产
华润微电子有限公司(“华润微电子”)附属公司华润上华科技有限公司(“华润上华”)近日宣布,继2010年首颗200V SOI CDMOS产品量产后,日前更高性...
华润微电子
半导体
SOI
2012-11-07
ARM发布45纳米SOI测试芯片结果 较体效应工艺节能40%
中国上海,2009年10月12日——ARM公司(伦敦证交所:ARM;纳斯达克:ARMH)近日在于加州福斯特市举行的IEEE SOI大会上...
ARM
SOI
处理器
2009-10-13
IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片
IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片,并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。 IBM表示,使用SOI技术可使芯...
IBM
SOI
嵌入式DRAM
2009-09-23
19家半导体业者加入SOI未来高能效
19位业界成员共组SOI策略联盟,将致力于IP、设计环境营造,EDA业者也投入。 据台湾媒体报道,半导体业者第1个绝缘层上覆矽(Silicon-On Insu...
半导体
SOI
晶圆代工
2007-10-18
PSD 光电位置传感器的实现及SOI 结构研究
摘要: 分析了高灵敏度光电位置传感器(PSD)的设计和工艺制作过程,给出了器件制作工艺流程。对制作的器件进行了参数测试,测试结果为:响应波长为600~1200n...
光电位置传感器
电极
灵敏度
位置分辨率
工艺
线性度
SOI
2006-11-25
1
在线研讨会
焦点