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>cmos 工艺;射频前端;半波整流;调制;解调
Qualcomm与SEMATECH签署合作协议
全球领先的芯片制造协会SEMATECH和先进无线芯片供应商Qualcomm宣布Qualcomm已与SEMATECH签署了合作协议,共同推进CMOS技术进一步...
Qualcomm
CMOS
芯片设计
2010-06-18
X-FAB公布8英寸MEMS中心 可大大降低生产成本
X-FAB Silicon Foundries,业界领先的模拟/混合信号晶圆厂及“超越摩尔定律”技术的专家,今天宣布其将扩大自身的晶圆厂...
X-FAB
晶圆
MEMS
CMOS
2010-06-09
美国国家半导体推出零延迟控制通道的串行/解串器
美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation)(美国纽约证券交易所上市代码:NSM)宣布推出业界首系列可为视频设备提...
美国国家半导体
零延迟
CMOS
2010-06-02
音频功率放大器的CMOS电路设计
0 引言 随着集成技术的迅猛发展,体积小巧的便携通信设备有了更加广阔的市场前景。但是对于应用于这些便携式设备中的音频功率放大器芯片则有更加严格的要求。...
音频
放大器
CDMA
CMOS
2010-06-01
imec中国成立 与华力合作项目正式签约
5月25日,imec中国正式在上海张江高科技园区成立。同时,与华力微电子在先进芯片制程工艺技术上的合作开发项目也正式签约。 imec与中国的合作已有十...
imec
CMOS
65nm
2010-05-27
IMEC与台积电进行后CMOS合作
IMEC总裁Luc van den Hove表示为了开发新型的混合工艺技术(沿着后摩尔定律), 它的研究所决定与台积电进行合作。 尽管IMEC己经与诸...
台积电
CMOS
芯片制造
2010-05-13
IMEC让前TSMC欧洲总裁来加强IC业务
欧洲半导体研究所IMEC已任命前TSMC欧洲总裁Kees den Otter为其副总裁, 掌管其IC市场发展。 可能原因是出自研究所要更多的为工业化服...
IMEC
光刻
CMOS
2010-05-07
IDT推出首款封装和裸片晶圆形式全硅CMOS振荡器
致力于丰富数字媒体体验、提供领先的混合信号半导体解决方案供应商 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc.; ...
IDT
CMOS
振荡器
2010-05-04
海力士将于5月决定8寸晶圆厂未来
海力士(Hynix)唯一还在运作中的8寸晶圆厂M8产线,下周将确定往后的运用方案,海力士的选择受到业界瞩目。海力士正在寻找解决办法,因为持续运作,早晚会遭遇...
Hynix
晶圆
CMOS
2010-04-30
全球最大容量 尔必达4Gb DDR3颗粒开发完成
日本DRAM大厂尔必达今天宣布,已经成功开发出4Gbit容量DDR3内存颗粒。这是目前市场上DDR3颗粒的最大容量,只需单面8颗即可组成 4GB容量内存条,...
尔必达
40nm
CMOS
DDR3
2010-04-23
新型CMOS图像传感器原理及设计
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Co...
CMOS
图像传感器
有源像素
2010-04-15
低功耗高转换速率CMOS模拟缓冲器
引言:模拟电压缓冲器是混合信号设计中非常重要的基本组成部件。它们主要用作信号监听和驱动负载。在第一种情况下,缓冲器通常连接到测试电路和要求低输入电容的电路的...
CMOS
模拟缓冲器
2010-04-14
赛普拉斯新型高精度CMOS图像传感器助欧洲航天局Proba-2卫星顺利升空
专为太空导航应用而开发的HAS2图像传感器本月搭载在卫星上发射升空 2009年11月18日,北京讯,赛普拉斯半导体公司日前宣布,其专为航天应用而开发的三款重量...
赛普拉斯
CMOS
图像传感器
2009-11-18
NS ADC16V130高性能CMOS模数转换方案
NS公司的ADC16V130是单片高性能CMOS模数转换器,取样速率高达130MSPS,能把输入模拟信号转换成16位数字信号. ADC16V130采用差分流水线...
ADC16V130
高性能
CMOS
模数转换
2009-11-17
安华高科技推出新车用级高速低功耗数字光电耦合器产品
Avago Technologies(安华高科技)今日宣布,推出二款面向油电混合动力车(HEV, Hybrid Electronic Vehicles)应用所设...
混合动力
CMOS
LED
2009-11-02
瑞萨与松下联手开发领先SoC工艺
瑞萨科技公司与松下公司共同宣布,在瑞萨那珂分部(茨城县日立那珂市)集中精力联合开发领先的SoC工艺技术,并将其28-32nm工艺开发线投入运营。在瑞萨那珂分部,...
瑞萨
松下
SoC
工艺
2009-10-20
中芯国际将45纳米工艺技术延伸至40纳米以及55纳米
中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽约证交所股票代码:SMI,香港联合交易所股票代码:0981)今天宣布其45纳米的互补型金属...
中芯国际
工艺
2009-10-15
影像传感器市场缩水 走向个位数成长
市场研究机构Strategies Unlimited指出,全球影像传感器市场将在09年缩水11%,来到64亿美元规模,不过接下来将逐渐恢复正常成长。该机构预...
影像传感器
CCD
CMOS
2009-09-03
影像传感器市场走向个位数成长
市场研究机构StrategiesUnlimited指出,全球影像传感器市场将在09年缩水11%,来到64亿美元规模,不过接...
影像传感器
CCD
CMOS
2009-08-25
RAYSPAN Corporation 宣布获得超材料空中接口基础专利
超材料空中接口解决方案的世界领先创新企业 RAYSPAN Corporation 欣然宣布,该公司已经获得一项基础专利 A...
超材料
RAYSPAN
射频前端
2009-08-18
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